新宮原 正三シングウバラ ショウソウ |
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専門分野
| 専門分野 | キーワード |
|---|---|
| ナノ構造体の自己組織形成と機能化 | Al 陽極酸化;半導体ナノワイヤ;ナノホール;自己組織化;ナノ磁性体 |
| 三次元配線技術 | LSI銅配線技術;三次元実装技術;エレクトロマイグレーション;配線信頼性;無電解めっき |
| 薄膜・表面界面物性 | ナノワイヤ;抵抗スイッチ現象 |
研究職歴
- 東芝ULSI研究所 1985年4月 1日～1990年9月 30日
- 広島大学工学部二類電気系助教授 1990年10月 1日～2001年3月 31日
- 広島大学大学院先端物質科学研究科助教授 2001年4月 1日～2005年3月 31日
受賞・学術賞
- 国際固体素子材料コンファレンス・最優秀論文賞 1991年 9月 20日 (国際固体素子材料コンファレンス委員会)
- 応用物理学会フェロー表彰 2015年 9月 13日 (応用物理学会)
所属学会
| 所属学会・団体名 | 役職名 (役職在任期間) |
|---|---|
| 応用物理学会 | シリコンテクノロジー分科会副幹事長(2013年4月 1日) |
| 電気化学会 | 電子材料委員会委員長(2013年4月 1日) |
| 表面科学会 | |
| 日本機械学会 | |
| エレクトロニクス実装学会 | |
| 磁気学会 | |
| 表面技術協会 | |
| Materials Research Society | |
| Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓoｃｉｅｔｙ | symposium oranizer(2010年10月 ) |
| IEEE |
知的所有権関係
- 無電解めっき液及び配線基板の
- 出願番号：特願2021-211530 (2021年 12月 24日)
- シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液
- 出願番号：特願2020-522264 (2019年 5月 19日)
- 抗菌材料及びこれを備えた抗菌部材
- 出願番号：特願2018-186538 (2018年 10月 1日)
- 公開番号：特開2019-72475 (2019年 5月 16日)
- 半導体基板への孔の形成方法及びそれに用いるマスク構造
- 出願番号：特願2016-092881 (2016年 5月 4日)
- 公開番号：特開2017-201660 (2017年 11月 9日)
- 水晶振動子の製造方法及び水晶振動子
- 出願番号：特願2016-029070 (2016年 6月 28日)
- 公開番号：特開2017-147653 (2017年 8月 24日)
- 光電変換素子、及び光電変換素子の製造方法
- 出願番号：特願2014-180575 (2014年 9月 14日)
- 公開番号：特開2016-054274 (2016年 4月 14日)
- 微小構造体、電子素子、及び微小構造体の製造方法
- 出願番号：特願2014-062638 (2014年 3月 25日)
- 公開番号：特開2014-208395 (2014年 11月 6日)
- めっき処理のための触媒粒子を担持する基板の処理方法
- 出願番号：特願2012-216580 (2012年 9月 28日)
- 特許番号：特表特許5456129
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研究業績
論文Effect of etching solution concentration on preparation of Si holes by metal-assisted chemical etching査読有学術雑誌国内共著新宮原 正三;村田;依岡;白岩;伊藤健;清水智弘JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICSvol. 61, SJ10072022年8月
論文Bactericidal effect of nanostructures via lytic transglycosylases of Escherichia coli査読有学術雑誌国内共著新宮原 正三;清水智弘;三村壮馬;伊藤健;RSC ADVANCESvol. 12 (3) , pp.1645-16522022年
論文Effect of Au electrode on the resistance change response of HfO (x) -based ReRAM device under voltage pulse trains査読有学術雑誌国内共著新宮原 正三;黄 川洋;畠中 林太郎;清水智弘;伊藤健JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,vol.61 , SM10112021年9月
論文Detailed analysis of liposome adsorption and its rupture on the liquid-solid interface monitored by LSPR and QCM-D integrated sensor査読有学術雑誌国内共著浅井 直人;清水 智弘;新宮原 正三;伊藤 健SENSING AND BIO-SENSING RESEARCHvol.32, 1004152021年6月
論文Effect of asymmetric thin TiN buffer layer for switching in NbOx layer査読有学術雑誌共著新宮原 正三;畠中林太郎;森本雅大;清水智弘;伊藤健JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICSvol. 60, SCCF082021年4月
論文Comparison of Sulfur Cathode Reactions between a Concentrated Liquid Electrolyte System and a Solid-State Electrolyte System by Soft X-Ray Absorption Spectroscopy査読有学術雑誌国内共著新宮原 正三;;内本;石川;渡辺ACS APPLIED ENERGY MATERIALSvol.4 , pp.186-1932021年1月
論文Observation of ultra-high energy density state with x-ray free electron laser SACLA査読有学術雑誌共著新宮原 正三High Energy Density Physics,Vol.36, 1008132020年8月
論文Electrochemical impedance spectroscopy study of liposome adsorption and rupture on self-assembled monolayer: Effect of surface charge査読有学術雑誌共著新宮原 正三Journal of Electroanalytical Chemistryvol. 878, 1145722020年
論文Adhesion and bactericidal properties of nanostructured surfaces dependent on bacterial motility査読有学術雑誌共著新宮原 正三RSC ADVANCESpp. 5673-56802020年
論文Formation of MoS2 nanostructure arrays using anodic aluminum oxide template査読有学術雑誌共著新宮原 正三Micro Nano Engineeringvol. 9, 1000712020年
論文Electrochemical impedance spectroscopy study of liposome adsorption and rupture on self-assembled monolayer: Effect of surface charge査読有学術雑誌単著藤野祐介;伊藤 健;清水智弘;新宮原正三Journal of Electroanalytical Chemistryvol. 878,1145722020年
論文Effect of a metal interlayer under Au catalyst for the preparation of microscale holes in Si substrate by metal-assisted chemical etching査読有学術雑誌共著新宮原 正三Jpn. J. Appl. Phys.58 , SAAE072019年6月
論文Single cell / real-time imaging of bactericidal effect on the nanostructural surface査読有学術雑誌共著新宮原 正三MATERIALS TODAY-PROCVol.7, pp.497-5002019年
論文Investigation of nanostructure-based bactericidal effect derived from a cicada wing by using QCM-D査読有学術雑誌共著新宮原 正三MATERIALS TODAY-PROC.Vol.7, pp. 492-496, 2019年
論文Dual Biosensor Coupling with Localized Surface Plasmon Resonance and QCM-D Using Nano-honeycomb Structure査読有学術雑誌共著新宮原 正三MATERIALS TODAY PROC.Vol.7,
pp. , 470-4752019年
論文Effect of additives on preparation of vertical holes in Si substrate using metal-assisted chemical etching査読有学術雑誌共著新宮原 正三Jpn. J. Appl. Phys.58 , SDDF06. 2019年
論文Nano-Honeycomb Electrode- Based QCM Sensor and Its Application for PPI Detection査読有学術雑誌共著新宮原 正三IEEE SENSORS JOURNAL19-11 pp. 4025-40302019年
論文Adhesion and Bactericidal Properties of a Wettability-Controlled Artificial Nanostructure査読有学術雑誌共著新宮原 正三ACS Applied Nano Materials1-10, (2018) 5736-57412018年10月
論文]Fabrication of highly sensitive QCM sensor using AAO nanoholes and its application in biosensing査読有学術雑誌共著新宮原 正三Sensors and Actuators B276, 534-539.2018年8月
論文Hf layer thickness dependence of resistive switching characteristics of Ti/Hf/HfO2/Au resistive random access memory device査読有学術雑誌共著新宮原 正三Jpn. J. Appl. Phys.vol.57, 02HD062018年7月
論文Highly sensitive quartz crystal microbalance based biosensor using Au dendrite structure査読有学術雑誌共著新宮原 正三Jpn. J. Appl. Phys.57,02CD01.2018年7月
論文Evaluation of the interdiffusion properties of Cu and electroless-plated CoWB barrier films査読有学術雑誌国内共著新宮原 正三Jpn. J. Appl. Physvol.57, 07MB022018年6月
論文Switching behavior of resistive change memory using oxide nanowires査読有学術雑誌共著新宮原 正三Jpn. J. Appl. Phys.vol.57,02HD072018年6月
論文Voltage pulse induced resistance change response of ReRAM with HfO2 layer査読有学術雑誌共著新宮原 正三ECS Transactionsvol. 86, pp. 13-212018年
論文Sensitized mass change detection using Au nanoporous electrode for biosensing査読有国内共著Naoto Asai;Hideaki Tersawa;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara;Takeshi ItoJpn.J.Appl.Phys.56-6, 06GG042017年6月
論文Fabrication and characterization of nano porous lattice biosensor using anodic aluminum oxide substrate査読有国内共著Takeshi Ito;Yuki Matsuda;Takatoshi Jinba;Naoto Asai;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraJpn.J.Appl.Phys.56-6, 06GG022017年6月
論文Nonenzymatic detection of glucose using BaCuO2 thin layer査読有学術雑誌国内共著Ito, Takeshi;Asada, Tsuyoshi;Asai, Naoto;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, ShosoJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS56, 1, 01AH022017年4月
論文Magnetic Conductive Filament Formed in the ReRAM Device with Ferromagnetic Electrode Poster Session査読有学術雑誌国内共著Hayato Yoshida;Tomohiro Shimizu;Takeshi Ito;Shoso ShingubaraECS Transaction75-32, pp.65-712017年3月
学会発表Cu/Ti/ HfO2/Au抵抗変化メモリにおける低電圧スイッチングの研究共著吉田 勇人;清水 智弘;伊藤 健;新宮原 正三第64回応用物理学会春季学術講演会2017年3月 横浜
学会発表セミの翅が持つ機能性ナノ構造の模倣と抗菌性評価共著伊藤 健;中出一輝;佐川貴志;小嶋寛明;清水智弘;新宮原正三第64回応用物理学会春季学術講演会2017年3月 横浜
学会発表陽極酸化アルミナを用いたナノ構造を有するQCMの創製共著浅井直人;伊藤 健;清水 智弘;新宮原正三第64回応用物理学会春季学術講演会2017年3月 横浜
論文Antibacterial Property of Si Nanopillar Array Fabricated Using Metal Assisted Etching; Mimic a Cicada Wing査読有学術雑誌共著Takeshi Ito;Kazuki Nakade;Naoto Asai;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraECS Trans75:1-52017年
国際学会Formation and evaluation of Cu2ZnSnS4 films prepared by electroplating and sulfurization with CS2共著Tomohiko Nishida;Tomohiro Shimizu;Koichi Takase;Shukichi Tanaka;Takeshi Ito;Shoso ShingubaraPVSEC-262016年11月 Singapore
国際学会Magnetic conductive filament formed in the ReRAM device with ferromagnetic electrode共著Hayato Yoshida;Tomohiro Shimizu;Takeshi Ito;Shoso ShingubaraPRIME20162016年10月 Hawaii, USA
国際学会Oxidation of CuSn alloy nano-tree and application for gas sensors 共著N. Kaneko;T. Shimizu;T. Ito;Y. Tada;S. ShingubaraPRIME20162016年10月 Hawaii, USA
国際学会lectroless plating of diffusion barrier films on SiO2 and evaluation of film characteristics共著Atsushi Hirate;Yuto Miyachi;Kohei Ohta;Tomohiro Shimizu;Takeshi Ito;Shoso ShingubaraPRIME20162016年10月 Hawaii, USA
国際学会All-Wet TSV Fabrication Using Electroless Plated Barrier and Cu Seed Layers with Pd Nanoparticle Catalyst INVITED PRESENTATION共著Shingubara Shoso;Inoue FumihiroPRIME20162016年10月 Hawaii, USA
国際学会Fabricating a QCM Device with the Nanostructures Using the AAO Template共著Naoto Asai;Takeshi Ito;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraPRIME20162016年10月 Hawaii, USA
国際学会Antibacterial Property of Si Nanopillar Array Fabricated Using Metal Assisted Etching; Mimic a Cicada Wing Nanotechnology General Session 1 共著Takeshi Ito;Kazuki Nakade;Naoto Asai;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraPRIME20162016年10月 Hawaii, USA
国際学会Electrodeposited ZnO thin film on twin sensor QCM for sensing of ethanol at room temperature共著Ito, Takeshi;Fujii, Yudai;Yamanishi, Noriyoshi;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, Shoso30th Eurosensors Conference2016年9月 4日～2016年9月 7日Budapest, HUNGARY
学会発表TSVバリア・シード層の無電解めっき形成及びCu拡散バリア性の評価共著平手 惇史;宮地 悠人;太田 晃平;伊藤健,;清水 智弘;新宮原正三MES20162016年9月 大阪
学会発表陽極酸化アルミナ基板を用いたナノ多孔質構造バイオセンサー共著松田裕貴;浅井直人;清水 智弘;新宮原正三;伊藤 健第77回応用物理学会秋季学術講演会2016年9月 新潟
学会発表AAO鋳型を用いた制御可能なナノ構造を有するQCMの創製共著浅井直人;伊藤 健;清水 智弘;新宮原正三第77回応用物理学会秋季学術講演会2016年9月 新潟
学会発表磁性体電極を用いた抵抗変化メモリ素子におけるスイッチング特性及び磁気抵抗効果の
評価共著吉田 勇人;伊藤 大介;清水 智弘;伊藤 健;新宮原正三第80回半導体集積回路シンポジウム2016年8月 東京
国際学会Formation of Si moth-eye structures using 2-step metal assisted chemical etching共著Tomohiro Shimizu;Koichi Takase;Takeshi Ito;Shoso Shingubara13th International Conference on Nanoscience and Nanotechnologies(NN16)2016年7月 Tessalonik, Greece
論文Oxidation of CuSn alloy nanotree and application for gas sensors査読有学術雑誌共著Kaneko, Naoto;Shimizu, Tomohiro;Tada, Yoshihiro;Kaneko, Naoto;Shingubara, ShosoJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS55, 6, 1, 06GH08 2016年6月
論文Fabrication and optical property of metal nanowire arrays embedded in anodic porous alumina membrane査読有学術雑誌共著Takase, Kouichi;Shimizu, Tomohiro;Sugawa, Kosuke;Shingubara, ShosoJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS55, 6, 1, 06GH09 2016年6月
国際学会Fabrication of Vertical Cu2ZnSnS4/Mo/Si Nanocylinder Arrays Using a Patterned Si Nanowire Arrays Template共著Chonge Wang;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraEU PVSEC20162016年6月 Munich, Germany
論文Formation of three-dimensional nano-trees with perpendicular branches by electrodeposition of CuSn alloy査読有学術雑誌共著Shimizu, Tomohiro;Tada, Yoshihiro;Kaneko, Naoto;Shingubara, ShosoSURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 294, 83-892016年5月 25日
著書科学技術の発展とエネルギーの利用単行本単著新宮原 正三コロナ社新コロナシリーズ2016年5月 6日
論文Polarized hard X-ray photoemission system with micro-positioning technique for probing ground-state symmetry of strongly correlated materials査読有学術雑誌共著Fujiwara, Hidenori;Naimen, Sho;Higashiya, Atsushi;Shingubara, ShosoJOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION 23, 735-742, 32016年5月
論文Fabrication of nanocone arrays by two step metal assisted chemical etching method査読有学術雑誌共著Shimizu, Tomohiro;Tanaka, Norihiro;Tada, Yoshihiro;Shingubara, ShosoMICROELECTRONIC ENGINEERING153, SI, 55-59 2016年3月 5日
論文Band gap tuning of Ni1-x MgxO films by radio-frequency sputter deposition for deep-ultraviolet photodetectors 査読有学術雑誌共著Nishitani, Hiroki;Ohta, Kohei;Kitano, Sosuke;Shingubara, ShosoAPPLIED PHYSICS EXPRESS9, 3, 0392012016年3月
学会発表CuSnナノツリー酸化物の形成と電気伝導特性評価共著金子直人;清水 智弘;伊藤健;夛田芳広;田中秀吉;新宮原正三電気化学会春季大会2016年3月 大阪
学会発表SiO2上への無電解Co合金めっき膜の形成と膜質の評価共著平手 惇史;宮地 悠人;太田 晃平;清水 智弘;新宮原正三;田中秀吉電気化学会春季大会2016年3月 大阪
学会発表ナノシリンダー型太陽電池の作製とプロセスの検討共著西田 智彦;武 衝;西田 光佑;清水 智弘;伊藤 健;新宮原正三電気化学会春季大会2016年3月 大阪
学会発表CuSn合金ナノツリーの形成とガスセンサ応用共著和田卓十;金子直人;夛田芳宏;清水智弘;伊藤健;新宮原正三電気化学会第84回大会2016年3月 東京
学会発表NiWB上への無電解Cuめっき膜の形成と評価共著井芹崇樹;清水智弘;伊藤健;新宮原正三電気化学会第84回大会2016年3月 東京
学会発表二段階めっき法で作製した太陽電池材料Cu2ZnSnS4の光応答特性評価共著吉川圭太;西田智彦;清水智弘;高瀬浩一;田中秀吉;伊藤健;新宮原正三電気化学会第84回大会2016年3月 東京
学会発表陽極酸化された金電極を有するQCM(ブラックQCM)の作製共著浅井直人;清水 智弘;新宮原正三;伊藤 健電気化学会83回大会2016年3月 大阪
学会発表クマゼミの羽が持つ機能性ナノ表面とその模倣共著伊藤 健;田中琢望;清水 智弘;新宮原正三第63回応用物理学会春季学術講演会2016年3月 東京
論文Nitridation of silicon by nitrogen neutral beam査読有学術雑誌共著Hara, Yasuhiro;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, ShosoAPPLIED SURFACE SCIENCE363, 555-559 2016年2月 15日
論文Antibacterial characteristics of Si nano-pillar array査読有学術雑誌共著Ito, Takeshi;Nakade, Kazuki;Asai, Naoto;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, Shoso2016 IEEE 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO)82-84 2016年
論文Electrodeposited ZnO thin film on twin sensor QCM for sensing of ethanol at room temperature査読有学術雑誌共著Ito, Takeshi;Fujii, Yudai;Yamanishi, Noriyoshi;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, ShosoPROCEEDINGS OF THE 30TH ANNIVERSARY EUROSENSORS CONFERENCE - EUROSENSORS 2016 168, 411-4142016年
国際学会Antibacterial characteristics of Si nano-pillar array共著Ito, Takeshi;Nakade, Kazuki;Asai, Naoto;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, Shoso2016 IEEE 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO) 2016年Sendai, Japan
国際学会Opto-electronic properties of Cu2ZnSnS4 films prepared using electroplating and CS2 sulfurization process共著Tomohiro Shimizu;Kosuke Nishida;Tomohiko Nishida;Koichi Takase;Chonge Wang;Shukichi Tanaka;Takeshi Ito;Shoso ShingubaraEU PVSEC20162016年Hague, Nethreland
国際学会Highly adhesive displacement plated Cu seed on CoWB barrier for all-wet TSV fill process共著Shoso Shingubara;Kohei Ohta;Fumihiro Inoue;Takeshi Itoh;Tomohiro ShimizuMAM 20162016年Brussels, Belgium
学会発表CuSn合金ナノツリー酸化物の形成と伝導特性評価共著和田卓十;金子直人;夛田芳広;清水智弘;伊藤健;新宮原正三2016年秋 応用物理学会学術講演会2016年新潟市
国際学会Fabrication and optical property of metal nanowire arrays embedded in anodic porous alumina membrane共著Takase, Kouichi;Shimizu, Tomohiro;Sugawa, Kosuke;Shingubara, Shoso28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)2015年11月 10日～2015年11月 13日Toyama, JAPAN
国際学会Oxidation of CuSn alloy nanotree and application for gas sensors共著Kaneko, Naoto;Shimizu, Tomohiro;Tada, Yoshihiro;Shingubara, Shoso28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)2015年11月 10日～2015年11月 13日Toyama, JAPAN
国際学会Switching and Magnetoresistance Characteristics共著H. Yoshida;D. Itou;T. Shimizu;T. Ito ;S. Shingubara28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) 2015年11月 10日～2015年11月 13日Toyama, JAPAN
国際学会Highly adhesive displacement plated Cu seed layer for all-wet TSV fill process共著Kohei Ohta;Fumihiro Inoue;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara228th ECS Meeting2015年10月 Phoenics, USA
国際学会Resistance switching phenomenon associated with anisotropic magnetoresistance of
the ReRAM device with ferromagnetic electrodes共著D. Ito;H. Yoshida;T. Shimizu;S. Shingubara228th ECS Meeting2015年10月 Phoenics, USA
国際学会Fabrication of nanocone arrays by two step metal assisted chemical etching method共著Shimizu, Tomohiro;Tanaka, Norihiro;Tada, Yoshihiro;Shoso ShingubaraInternational Conference of Micro and Nanofabrication2015年9月 20日～2015年9月 23日Toledo, SPAIN
国際学会Fabrication of nanocone arrays by two step metal assisted chemical etching method 共著Tomohiro Shimizu;Norihiro Tanaka;Yoshihiro Tada;Yasuhiro Hara;Noriaki Nakamura;Junichi Taniuchi;Koichi Takase;Takeshi Ito;Shoso ShingubaraMNE 20152015年9月 Hague , Netherland
学会発表SiO2上への無電解CoWPめっき膜の形成と膜質の評価共著平手 惇史;宮地 悠人;太田 晃平;清水 智弘;新宮原正三MES 20152015年9月 大阪
学会発表SiO2上への無電解NiWPめっき膜の形成と膜質の評価共著宮地 悠人;平手 惇史;太田 晃平;清水 智弘;新宮原正三MES 20152015年9月 大阪
学会発表Cu-Sn合金ナノツリーの形成とそれを用いた酸化物形成共著金子直人;新宮原正三;清水 智弘;夛田芳広第76回応用物理学会秋季学術講演会2015年9月 愛知
学会発表磁性体電極を用いた抵抗変化メモリ素子におけるスイッチング特性及び磁気抵抗効果の
評価共著吉田 勇人;伊藤 大介;清水 智弘;伊藤 健;新宮原 正三第76回応用物理学会秋季学術講演会2015年9月 愛知
国際学会All-wet TSV filling with highly adhesive displacement plated Cu seed layer共著Ohta, Kohei;Hirate, Atsushi;Miyachi, Yuto;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, ShosoIEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC) 2015年8月 31日～2015年9月 2日Sendai, JAPAN
国際学会Temperature dependence of magnetoresistance characteristics of the on-state of resistive random access memory with ferromagnetic electrode共著Ito, Daisuke;Hamada, Yoshihumi;Otsuka, Shintaro;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, ShosoIEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2015年6月 4日～2015年6月 5日Kyoto, JAPAN
国際学会Fabrication of the solar-blind photodetector based on NixMg1-xO films by radio-frequency sputtering共著Nishitani, H.;Ohta, K.;Inada, M.;Shimizu, T.;Shingubara, S.IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2015年6月 4日～2015年6月 5日Kyoto, JAPAN
論文Nitridation of Si surface at the bottom of submicron trench using nitrogen neutral beam 査読有学術雑誌共著Hara, Yasuhiro;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, ShosoJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS54, 6, 1, 06FH07 2015年6月
論文Oxide thickness dependence of resistive switching characteristics for Ni/HfOx/Pt resistive random access memory device査読有学術雑誌共著Ito, Daisuke;Hamada, Yoshihumi;Otsuka, Shintaro;Shimizu Tomohiro;Shingubara ShosoJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS54, 6, 1, 06FH112015年6月
論文Suppression of switching voltage variation by controlling filament formation in In/porous alumina/Al resistive change random access memory査読有学術雑誌共著Tanimoto, Yusuke;Otsuka, Shintaro;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, ShosoJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS54, 6, 1, 06FH052015年6月
論文Magnetoresistance of conductive filament in Ni/HfO2/Pt resistive switching memory査読有学術雑誌共著Otsuka, Shintaro;Hamada, Yoshifumi;Ito, Daisuke;Shimizu, Tomohiro ;Shingubara, ShosoJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS54, 5, SI, 05ED022015年5月
国際学会Effect of additive on the formation of CuSn Alloy nano-trees formed with DC Electroplating共著S. Shingubara;T. Shimizu;N.Kaneko;Y.Tada227th ECS Meeting2015年5月 Chicago, USA
国際学会Temperature dependence of magnetoresistance characteristics of the on-state of resistive random access memory with ferromagnetic electrode共著Daisuke Ito;Yoshihumi Hamada;Shintaro Otsuka;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraIMFEDK 20152015年5月 Kyoto
論文Dynamic moderation of an electric field using a SiO2 switching layer in TaOx-based ReRAM査読有学術雑誌共著Wang, Qi;Itoh, Yaomi;Tsuruoka, Tohru;Shingubara, ShosoPHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS 9, 3, 166-1702015年3月
学会発表Auナノ粒子を用いたSiナノコーンの形成と反射率特性の評価共著田中規寛;近藤彰人;清水 智弘;新宮原正三第62回応用物理学会春季学術講演会2015年3月 神奈川県
学会発表CuSn合金ナノツリー形成におけるPEG添加効果共著金子直人;清水 智弘;夛田芳広;田中秀吉;新宮原正三電気化学会82回大会2015年3月 横浜
論文 Ferromagnetic nano-conductive filament formed in Ni/TiO2/Pt resistive-switching memory学術雑誌新宮原 正三Appl. Phys.A 118 , 613-619 2015年
論文Resistance Switching Phenomenon Associated with Anisotropic Magnetoresistance of the ReRAM Device with Ferromagnetic Electrodes Poster Session査読有学術雑誌共著Daisuke Ito;Hayato Yoshida;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraECS Trans69:111-1152015年
論文Cu Displacement Plating on Electroless Plated CoWB Layer on SiO2 and Its Adhesion Property査読有学術雑誌共著Kohei Ohta;Fumihiro Inoue;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraECS Trans64:57-612015年
論文Stability Evaluation of Non-Agglomerated Pd Nanoparticle Catalyst Dispersion for Electroless Deposition査読有学術雑誌共著Noriaki Nakamura;Junichi Taniuchi;Takayuki Sone;Kotoe Sasaki;Fumihiro Inoue;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraECS Trans64:77-842015年
論文Development of Glyoxylic Acid Based Electroless Copper Deposition on Ruthenium査読有学術雑誌共著Fumihiro Inoue;Harold Philipsen;Marleen van der Veen;Stefaan Van Huylenbroeck,;Silvia Armini;Herbert Struyf;Shoso Shingubara;Tetsu TanakaECS Trans64:41-552015年
論文Glyoxylic Acid as Reducing Agent for Electroless Copper Deposition on Cobalt Liner査読有学術雑誌共著Fumihiro Inoue;Harold Philipsen;Marleen van der Veen;Stefaan Van Huylenbroeck,;Silvia Armini;Herbert Struyf;Shoso Shingubara;Tetsu TanakaECS Trans64:63-752015年
国際学会All-wet TSV filling with highly adhesive displacement plated Cu seed layer共著Kohei Ohta;Fumihiro Inoue;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara3DIC Conference 20152015年Sendai
国際学会Nitridation of Si surface at the bottom of submicron trench using nitrogen neutral beam共著Hara, Yasuhiro;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, Shoso27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)2014年11月 4日～2014年11月 7日Fukuoka, JAPAN
国際学会Oxide thickness dependence of resistive switching characteristics for Ni/HfOx/Pt resistive random access memory device共著Ito, Daisuke;Hamada, Yoshihumi;Otsuka, Shintaro;et al.27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)2014年11月 4日～2014年11月 7日Fukuoka, JAPAN
国際学会Suppression of switching voltage variation by controlling filament formation in In/porous alumina/Al resistive change random access memory共著Tanimoto, Yusuke;Otsuka, Shintaro;Shimizu, Tomohiro;Shingubara, Shoso27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)2014年11月 4日～2014年11月 7日Fukuoka, JAPAN
学会発表凝集構造を利用したSi ナノワイヤ配列の光学特性制御査読無その他共著新宮原 正三第61回応用物理学会春季学術講演会2014年3月 17日～2014年3月 20日第61回応用物理学会春季学術講演会ドライプロセスで作製されたナノワイヤは基板に垂直に配列しているが、ウェットエッチングで作製したナノワイヤは、乾燥する際の溶液の表面張力の影響により、ナノワイヤが凝集する。この凝集により形成された構造がさらなる反射率の低減を引き起こす。ナノワイヤの凝集が反射率に影響を及ぼすのであれば、凝集後の構造次第で反射率も様々に変化する。つまり、ナノワイヤの凝集を制御することができれば、配列の反射率の制御に繋がる。本研究では、ウェットエッチングと二種類の乾燥法を組合せ、ナノワイヤ配列を形成し、その際の乾燥法と使用する溶液を選択することで、凝集の度合いの制御を試みた。
学会発表Temperature Dependence of Resistance of Conductive Nano-filament 査読無その他共著新宮原 正三第61回応用物理学会春季学術講演会0812014年3月 17日～2014年3月 20日第61回応用物理学会春季学術講演会A resistive switching memory has been expected to be a next-generation memory due to its scalability against downsizing, possibility for low power consumption, and a high switching speed. The mechanism of the repetitive resistive switching (RS) phenomenon has been considered in terms of the formation and rupture of a filament. However, it seems that elucidation of physical properties of the conductive filament has not been sufficient [1]. In this study, we investigated the RS mechanism by measuring I-V characteristics and temperature dependence of resistance in the case of low resistance state (LRS)
論文Temperature dependence of resistance of conductive nanofilament formed in Ni/NiOx/Pt resistive switching random access memory学術雑誌新宮原 正三Jpn. J. Appl. Phys53-5,05GD012014年
論文Fabrication of ordered array of anodic alumina oxide nanopores ewith interpore distance smaller than th pitch of nano pits formed by ion beam etching学術雑誌新宮原 正三 J.of Materials Sciences and nanotechnology1-1, 10-142014年
論文Effect of confining filaments on the current-voltage characteristics of resistive change memory by using anodic porous alumina学術雑誌新宮原 正三Jpn. J. Appl. Phys 53(6), 06JF072014年
論文Diffusion suppression in vapor-liquid-solid Si nanowire growth by a barrier layer between the Au catalyst and substrate“,学術雑誌新宮原 正三 Journal of Crystal Growth404, 192-1982014年
論文Improvement of adhesion strength of electroless barrier layer and its application to TSV process学術雑誌新宮原 正三 ECS Transactions58(17), 59-65 2014年
論文Fabrication of vertical CZTS nanowires arrays by two-step electroplating method into anodic alumina oxide template”, 学術雑誌新宮原 正三J.of Materials Sciences and Nanotechnology 1(1), 1-52014年
論文Morphology dependence of optical reflectance properties for a high-density array of silicon nanowires学術雑誌新宮原 正三Jpn. J. Appl. Phys. 53-6, 06JF102014年
論文Anisotropic Magnetoresistance of Ferromagnetic Conductive Filament in Resistive Switching Memory ReRAM査読有学術雑誌共著Shintaro Otsuka;Yoshifumi Hamada;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraECS Trans64:29-352014年
論文Study on Oxide Thickness Dependence of Current-Voltage Characteristics for HfOx Based ReRAM Device Poster Session査読有学術雑誌共著Yoshifumi Hamada;Shintaro Otsuka;Tomohiro Shimizu;Shoso ShingubaraECS Trans64:93-982014年
国際学会Enhancement of light absorption using bunched Si nanowire arrays査読無その他共著新宮原 正三Material Research Society fall meeting 20132013年12月 ～2013年12月 Material Research Society fall meeting 2013Ｂｏｓｔｏｎ、ＵＳＡEffect of surface morphology of Si substrate with Si nanowire arrays for optical properties was investigated. By Comparison of surface reflectance between vertical Si nanowires and bunched nanowires, we observed that enhancement of light absorption in bunched Si nanowire samples. From result of measurement of absorption, bunched nanowires make higher absorption than vertical nanowires. Moreover, bunched effect on optical properties depends on the degree of bunching.
学会発表Niナノワイヤを用いた抵抗変化型メモリの形成と評価査読無その他共著新宮原 正三第33回表面科学学術講演会2013年11月 13日～2013年11月 15日第33回表面科学学術講演会茨城県つくば市陽極酸化アルミナ中に形成したNiナノワイヤ配列をプラズマ酸化することで、NiO膜をナノワイヤ上部に形成し、抵抗変化メモリを作製した。さらに直径の異なるナノワイヤReRAM素子を作製し、電流電圧特性を評価した。その結果、直径の小さなナノワイヤでは抵抗変化に必要な電圧(SET電圧)が大きなナノワイヤと比較し、小さくなる傾向を明らかにした。さらに、SET電圧のばらつきも直径が減少するとともに、減少する傾向を明らかにした。
学会発表メタルアシストエッチングと陽極酸化アルミナを用いた規則配列Si ナノワイヤの形成と反射率特性評価査読無その他共著新宮原 正三2013年精密工学会2013年11月 ～2013年11月 2013年精密工学会大阪府本研究では乾燥過程に超臨界ドライヤを用いて凝集の無いナノワイヤ配列の作製を試み, 凝集したナノワイヤとの光学特性の比較を行った。さらに乾燥時の溶液の表面張力を変化させることで、様々な凝集度を持つナノワイヤ配列を形成した。光学特性の比較より、ナノワイヤの凝集度と反射率の関係を報告した。凝集度の増加とともに反射率が減少する傾向を明らかにした。さらに、ナノワイヤ長さは、主に可視光の低波長側の反射に強く依存していることを明らかにした。
国際学会Study on conductive filaments formed in ReRAM devices through temperature dependence of electrical transport properties査読無その他共著新宮原 正三 26th International Microprocesses and Nanotechinology Conference2013年11月 ～2013年11月 26th International Microprocesses and Nanotechinology ConferenceＳａｐｐｏｒｏA resistance random access memory (ReRAM) exhibits repetitive transition between high
resistance state (HRS) and low resistance state (LRS). ReRAM is expected to be a
next-generation nonvolatile memory substituting NAND Flash because of its simple structure suitable for scaling and a fast switching speed, and low power consumption [1]. The device structure is composed of an oxide layer sandwiched with two metal electrodes. A variety of oxide have been investigated as oxide material, such as NiO, TiO2 , HfO2, Ta2O5, etc. In general, it is considered that resistive switching is caused by the formation and rupture of the conductive filament such as a metallic filament and/or an oxygen vacancy filament in the oxide layer. It has been reported that the two types of conduction was distinguished by the value of the temperature coefficient of resistance (TCR) defined as R(T) = R(T0)[1 + α(T-T0)]. For further understandings of conductive filament, we studied I-V characteristics and the temperature dependence of electrical conduction property of LRS, for several different metal/oxide/metal structures.
国際学会Study on collective morphology dependence of optical reflectance査読無その他共著新宮原 正三26th International Microprocesses and Nanotechinology Conference2013年11月 ～2013年11月 26th International Microprocesses and Nanotechinology ConferenceＳａｐｐｏｒｏSi nanowire arrays have attracted interest for potential application in solar cells and
antireflection layer due to their low reflectivity. Generally, it is known that the reflectance strongly depended on the surface texture. Therefore, in order to obtain further low reflective surface, modification of the morphology of nanowire arrays with controlling degree of bunching would be important. In this study, we prepared Si nanowire arrays with different surface morphology, and investigated optical properties of those nanowire arrays.
国際学会Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurization of electrodeposited CuZn/CuSn precursor layers with CS2査読無その他共著新宮原 正三23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference2013年10月 28日～2013年11月 1日23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference Taipei, TaiwanCu2ZnSnS4 (CZTS) is one of the most promising solar cell materials to replace CIGS (Cu(In,Ga)S2 owing to more environmental-friendly and low-cost compound. Recently, several technique to form CZTS thin film, such as CVD, PVD, and electrodeposition, have been reported [1,2]. However, most of these techniques require high-cost vacuum process and/or toxic sulfuric source. In this study, we fabricated CZTS thin films by sulfurization of electrodeposited CuZn/CuSn precursor layers with low-toxic CS2 liquid under the non-vacuum conditions, and effect of sulfurization condition on crystallographic and optical properties of CZTS were investigated.
国際学会Temperature Dependence of Resistance of Conductive Nano-filament Formed in Ni/NiOx/Pt ReRAM査読無その他共著新宮原 正三ADMETA Plus 2013: Asiasn Sessionpp.94-952013年10月 7日～2013年10月 10日ADMETA Plus 2013: Asiasn SessionTokyoWe investigated resistive switching (RS) characteristics and temperature dependence of resistance of a Ni/NiO/Pt resistive switching memory. The device was operated in an unipolar operation mode. From the temperature dependence of resistance, it is suggested that the conduction mechanism of the low resistance state (LRS) is metallic. Moreover, a failure site that may corresponded to the conductive spot was observed by scanning electron microscopy (SEM). We propose the switching mechanism in the Ni/NiOx/Pt device.
国際学会Highly conformal and adhesive electroless barrier and Cu seed formation査読無その他共著新宮原 正三IEEE 3DIC-20132013年10月 2日～2013年10月 4日IEEE 3DIC-2013San Francisco, USAA conformal diffusion barrier was formed in a high aspect ratio through-silicon via (TSV) using electroless plating. Dense adsorption of Pd nanoparticle catalyst on SiO2 assisted the formation of a thin electroless CoWB layer, on which an electroless Cu seed layer could be deposited. The adhesion strength of the CoWB layer was improved with addition of adequate amount of saccharine and conformal deposition property was obtained with addition of SPS.
国際学会Effect of confining filaments on the current – voltage characteristics of resistive change memory by using anodic porous alumina査読無その他共著新宮原 正三26th International Microprocesses and Nanotechinology Conference2013年10月 ～2013年10月 26th International Microprocesses and Nanotechinology Conference札幌市In this study, the devices with small contact area which prepared by etching the nano-holes have been fabricated and the contacting area with the top electrode dependences of the current – voltage (I-V) characteristics of ReRAM have been investigated. The variation of the SET voltage of sample with rough surface was less than anodizing only device. It seems that the contact area with top electrode relates to reducing the variation of the switching from our results.
学会発表高密着性無電解めっきバリア膜の検討とTSVプロセスへの応用査読無その他共著新宮原 正三MES(Microelectronics Symposium)2013pp.209-2122013年9月 12日～2013年9月 13日MES 2013OsakaThe 3-D integration technology requires a high aspect ratio TSV with a smaller diameter in near future. Low temperature process less than 200°C is also preferable for realizing via-last process with a high reliability. Electroless plated barrier and seed can fulfill these requirements, however, a poor adhesion property of electroless plated barrier layer was a serious issue. In this study, we studied that adhesion strength of electroplated CoWB film was significantly improved by addition of saccharine. Furthermore, addition of both SPS and saccharine was turned out to be a good solution for obtaining a conformal deposition profile for a high aspect ratio TSV as well as a high adhesion strength.
学会発表S i ナノワイヤ配列の光学特性の凝集度による相違査読無その他共著新宮原 正三第74回応用物理学会秋季学術講演会2013年9月 ～2013年9月 第74回応用物理学会秋季学術講演会京都府京田辺市同志社大学面テクスチャによる反射防止効果は、太陽電池や反射防止膜応用への期待から注目されてい
る。その代表的なものがナノワイヤ配列であり、これまでに様々なグループによるナノワイヤ配列の反射率低減効果についての研究がなされてきた。また近年では、モスアイ構造のような、サブ波長オーダーの構造を規則配置することにより、低反射率を実現したという報告もされている。このように、表面反射率は表面構造に左右される。このことは、ナノワイヤ配列の場合、直径、ピッチといったパラメータが同様でも、ナノワイヤが束になるなど、マクロな構造が変化した場合、反射率に影響することを示唆している。しかしながら、ナノワイヤ複数本によるマクロな構造の反射率への影響についての報告は殆どない。そこで本研究では、ナノワイヤ配列の上部の凝集が反射率に与える影響を調査した。ナノワイヤの作製にはメタルアシストエッチング法を用いた。反射率測定の結果から凝集が反射率現象に影響を与えていることを確認した。
学会発表Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurization of electrodeposited CuZn/CuSn precursor layers with CS2査読無その他共著新宮原 正三第74回応用物理学会秋季学術講演会2013年9月 ～2013年9月 第74回応用物理学会秋季学術講演会京都府京田辺市Cu2ZnSnS4 (CZTS) is one of the most promising solar cell materials to replace CIGS (Cu(In,Ga)S2 owing to more environmental-friendly and low-cost compound. Recently, several methods to make a CZTS thin film have been reported. Considering lower the cost and reducing the impact on the environment, in this study, we used electrodeposition of CuZn/CuSn precursor layer and sulfurization process with low-toxic CS2 liquid as a sulfur source, to prepare CZTS thin films.
学会発表金属酸化膜中に形成された導電性フィラメントの抵抗温度依存性査読無その他共著新宮原 正三第74回応用物理学会秋季学術講演会2013年9月 ～2013年9月 第74回応用物理学会秋季学術講演会京都府京田辺市金属/絶縁体/金属の構造を持つ抵抗変化メモリ素子は、そのシンプルな構造、高速での応答、低消費電力での動作、不揮発性などの点からポストフラッシュメモリとして期待されている。抵抗変化現象は絶縁体中に形成された金属あるいは酸素欠損による導電性フィラメントに起因すると言われているが、詳細は未解明である。本研究ではNi/NiO/Pt素子を作成し、フィラメントの電気特性と抵抗の温度依存性の評価を詳細に行った。温度依存性の結果より、NiO中に形成されたフィラメントは金属的Niである可能性が高いことがわかった。
国際学会Fabrication and absorption properties of ordered Si nanowire arrays using porous aluminum mask査読無その他共著新宮原 正三International Porous Powder Materials 20132013年9月 ～2013年9月 International Porous Powder Materials 2013Ｉｚｍｉｒ， ＴｕｒｋｅｙThe reflectance dependence on the morphology of the Si nanowire (SiNW) arrays was investigated. The several samples including vertically aligned NW arrays and the bunched NWs were prepared by combination of wet etching process and two types of drying process. The optical reflectance of the NW arrays depended on the length and aggregation degree of NWs. The bunched NW arrays with large aggregation degree reduced the reflectance to the less than 8% in long wavelength of visible range. It considers that the significant reduction of reflectance of the bunched NWs is ascribed to the combining macro structure with NWs.
論文Temperature Dependence of Resistance in Conductive Filament Formed with査読有学術雑誌共著新宮原 正三ECS Transaction58巻pp. 27-312013年6月 We investigated resistive switching (RS) characteristics and temperature dependences of a resistance of the Ni/TiO2/Pt resistive switching memory. The device was operated in a unipolar mode.
From the temperature dependence of resistance, it is shown that the conductive filament in the low resistance state (LRS) is metallic. Fabricated Pt/NiO/Pt RS memory to compare the RS
characteristics showed similar RS phenomenon. The conductive mechanism of the Pt/NiO/Pt RS memory is also metallic. Temperature coefficients of resistance of various RS memory were compared.
国際学会Enhancement of light absorption using bunched Si nanowire arrays査読無その他共著新宮原 正三The 2013 International Meeting for Future of Electron Device2013年5月 ～2013年5月 The 2013 International Meeting for Future of Electron Device大阪府吹田市A resistances random access memory (ReRAM) having a high resistance state (HRS) and a low resistance state (LRS) is a candidate of the next-generation nonvolatile memory, because of its suitability against scaling down, fast switching speed, and low power consumption. A general consensus of resistive switching mechanism has been attained as the filament model which is explained by the formation and rupture of the conductive filament in the oxide layer. For practical use of ReRAM, there are several serious issues such as poor yield and instability of switching. For the understandings of conductive filament, we studied temperature dependence of electrical conduction property for both on (LRS) and off (HRS) states in NiO ReRAM.
学会発表CuSn合金ナノツリー構造体の電解めっき形成と評価査読無その他共著新宮原 正三電気化学会第81回大会2013年3月 29日～2013年3月 31日電気化学会第81回大会我々は銅とスズイオンの双方を含むめっき浴を用いた、直流電解めっきを行ったところ、非常に狭い電位範囲でほぼ直角な多数の分枝を有するナノツリーが形成される現象を見出した。このナノツリー構造はその特異な形状から高い比表面積を持つ新規なナノポーラス材料として応用が期待される。特にスズ化合物ということからリチウムイオンバッテリーの電極材料、高感度ガスセンサ等の応用が考えられる
学会発表窒素中性粒子ビームによるSi表面の窒化査読無その他共著新宮原 正三第61回応用物理学会春季学術講演会08－0592013年3月 17日～2013年3月 20日第61回応用物理学会春季学術講演会Siを用いたナノ構造体の保護膜は、SiO2膜よりも安定した窒化シリコン膜を使用することが望ましい。従来のイオン窒化処理では、①500eV以上の運動エネルギーを持つイオンが照射されるため、ナノ構造体表面に物理的ダメージが入る、②エッジ部分では電場が強くなるため、イオンがエッジ部分に加速されて偏った窒化処理が行われる、という2つの欠点が存在した。我々はこの問題を解決するため、低エネルギー領域でエネルギーを正確に制御できる中性粒子ビームを用いたシリコンの窒化の研究を行った。
学会発表自己集合ポリスチレン球とメタルアシストエッチングを用いた査読無その他共著新宮原 正三第61回応用物理学会春季学術講演会09－1602013年3月 17日～2013年3月 20日第61回応用物理学会春季学術講演会半導体ナノワイヤの形成方法はＶＬＳ法やナノホール・テンプレートを用いた電解メッキ法などがあるが、本研究では低コスト化、大面積化の点で優れているメタルアシストエッチング法を用いて半導体ナノワイヤ配列を形成し光学特性を評価した。また、規則配列したナノワイヤを得るために自己集合ポリスチレン球2次元配列をマスクとし、Si基板上に金のアンチドットパターンを形成し、エッチング触媒として用いた。
国際学会Direct Electroless Cu Seed Fabrication on Vapor Deposited Polyimide in Through-Si ViaINOUE F;SHIMIZU T;ARIMA R;MIYAKE H;SHINGUBARA SMAM 20122013年3月 Leuven, Begium
学会発表自己組織テンプレートとメタルアシストエッチング法を用いた規則配列Siナノワイヤ形成と評価山口 卓也;清水 智弘;夛田 芳広;新宮原 正三応用物理学会2013年3月 厚木市
学会発表ガスセンサ応用に向けた銅錫酸化物ナノツリー構造の形成と評価夛田 芳広;田中 良典;清水 智弘;新宮原 正三応用物理学会2013年3月 厚木市
学会発表VLS法によるナノワイヤ成長 拡散抑制層追加による成長の改善古藤 誠;清水 智弘;新宮原 正三応用物理学会2013年3月 厚木市
学会発表高アスペクト比TSVへの無電解めっき皮膜形成に向けたPdナノ粒子触媒吸着井上 史大;清水 智弘;三宅 浩志;有馬 良平;伊藤 俊彦;關 洋文;篠崎 夕子;山本 智彦;新宮原正三応用物理学会2013年3月 厚木市
学会発表電気化学処理を施した硫酸陽極酸化アルミナを用いた抵抗変化素子の電流電圧特性谷本 優輔;古屋 沙絵子;大塚 慎太郎;清水 智弘;新宮原 正三;渡辺 忠孝;高野 良紀;高瀬 浩一応用物理学会2013年3月 厚木市
学会発表無電解めっき法を用いた高アスペクト比TSV へのCu シード層形成井上 史大;清水智弘;ハロルド・フィリップ;新宮原正三応用物理学会シリコンテクノロジー分科会2013年3月 東京都
論文Electric Conduction Mechanism of Resistive Switching Memory査読有学術雑誌共著新宮原 正三ECS Transaction50巻pp. 49-542013年3月 The electric conduction mechanism of electrochemically treated anodic aluminum oxide (AAO) resistance switching (RS) memory is investigated. The current-voltage characteristics of the AAO
were measured for both of high resistance state and low resistant state at room temperature. The conduction mechanism of a high resistance state can be explained by separating into three regions of ohmic conduction, space charge limited current (SCLC), and Fowler-Nordheim (F-N) tunneling. It was suggested that the F-N tunneling deteriorates the reproducibility of switching voltages.
論文Control of Adhesion Strength and TSV Filling Morphology of Electroless Barrier Layer査読有学術雑誌共著新宮原 正三ECS Transaction56巻2013年3月 In this study, we investigated to control adhesion property of the electroless plated barrier layer on SiO2 by addition of saccharin and its deposition profile in a high aspect ratio TSV with inhibitor and
saccharin. We achieved high adhesion strength of barrier layer by addition of suitable amount saccharin. Furthermore, we succeeded in the formation of thin continuous electroless barrier layer for a
high aspect ratio TSV with addition of both inhibitor and saccharin. The proposed highly adhesive and conformal electroless barrier layer formation would provide a highly reliable all-wet TSV filling
process.
論文Temperature Dependence of Resistance of Conductive Filament 査読有学術雑誌共著新宮原 正三Japanese Journal of Applied Physics52巻06GF042013年An investigation of current–voltage (I–V) characteristics and the temperature dependence of resistance in a resistive switching (RS) memory with a Cu/SiO2/Au device was performed. Moreover, conductive spots were observed by scanning electron microscopy (SEM) and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Both unipolar and bipolar operation modes were obtained. From the temperature dependence of resistance, it is suggested that the conduction mechanism of the low resistance state (LRS) is metallic conduction and that of the high resistance state (HRS) is variable-range hopping (VRH) conduction. The results of observing the device support this suggestion. We propose the switching mechanism in the Cu/SiO2/Au device from these results.
論文Electroless Cu deposition on atomic layer deposited Ru as novel seed formation process in through-Si vias査読有学術雑誌共著新宮原 正三Electrochimica Actavol. 100,pp.203-20112013年High aspect ratio through Si vias (_ 2 _m, depth 30 _m) have been filled completely by Cu electroplating
using an electroless deposited Cu seed layer. The electroless Cu deposition was carried out on ALD–Ru; the time transient of the mixed potential on Ru showed a catalyst type of behavior. The ELD–Cu,which was deposited inside TSVs along their sidewalls, was defect free and worked as a seed layer for electrodeposition of Cu to fill the structure. With a conventional method, such as PVD–Cu, it is challenging to deposit a seed in such structures. The adhesion strength of this ELD–Cu film on ALD–Ru was measured to be >100 MPa. These coupon-scale results show the feasibility of electroless deposition in TSV processing.
論文Highly adhesive electroless barrier/Cu-seed formation for high aspect ratio through-Si vias査読有学術雑誌共著新宮原 正三Microelctronic Engineeringvol.106,pp.164-1672013年A conformal diffusion barrier was formed in a high aspect ratio through-silicon via using electroless plating. Dense adsorption of Pd nanoparticle catalyst on SiO2 assisted the formation of a thin electroless Co–W–B layer, upon which an electroless Cu seed layer could be deposited. The adhesion strength of the Co–W–B film was enhanced by reducing the film thickness, and the maximum strength was obtained at a
thickness of 20 nm. The Co–W–B layer exhibited good barrier properties against Cu diffusion to SiO2 after annealing at 300 _C, although slight diffusion of the Pd atoms in Cu was observed.
解説ナノホールテンプレートを用いた半導体及び金属ナノワイヤの作製と応用査読無その他単著新宮原 正三研究開発リーダー10－5, pp.4-102013年本研究では直径数十ナノメートル以下の各種ナノワイヤを作成し、これらを用いた超高感度センサー及びエネルギー変換素子等への応用基礎検討を行った。特に、ナノワイヤ成長の鋳型となるアルミナ陽極酸化ナノホール配列の形成、シリコン基板上の垂直配向シリコンナノワイヤ形成、金属ナノ粒子触媒を用いた湿式エッチングによるシリコンナノワイヤ形成、磁性体ナノワイヤの形成と抵抗変化メモリ素子応用、などに関して解説を行う。
論文Control of Crystal Orientation and Diameter of Silicon Nanowire Using Anodic Aluminum Oxide Template査読有学術雑誌共著新宮原 正三Japanese Journal of Applied Physicsvol.52 , pp. 06GF07-042013年The control of the crystal orientation and diameter of vertically grown epitaxial Si nanowires was demonstrated using a combination of a vapor–liquid–solid (VLS) growth technique and the use of an anodic aluminum oxide (AAO) template on a single-crystal Si substrate. The [100], [110], and [111] nanowires were selectively obtained by choosing the Si substrate with appropriate crystal orientation. The diameter of a Si nanowire in the AAO template could be controlled by the modification of the pore size of the AAO template with anodic voltage during anodization.
論文Improved control of silicon nanowire growth by the vapor–liquid–solid method using a diffusion barrier layer between catalyst and substrate査読有学術雑誌共著新宮原 正三Journal of Crystal Growthvol.369, pp.1-7.2013年Vapor–liquid–solid (VLS)-grown nanowires are promising building blocks for next-generation devices because of their unique characteristics. Although Au is a widely used catalyst with the largest operable parameter window for Si nanowire growth by the VLS method, Au catalyst droplets diffuse at a high migration velocity over a Si substrate surface and agglomerate at relatively low temperature, thus degrading the uniformity of Au catalyst droplets and Si nanowires. Our aim is to improve the controllability of nanowire growth, positioning, and diameter, which are essential attributes for practical applications. To accomplish this, a diffusion barrier layer was inserted between the catalyst and substrate. Length and diameter uniformity were considerably improved for nanowires grown together with the formation of a silicide layer as a diffusion barrier.
論文Improvement of the Reproducibility of the Switching Voltage of Resistance Change Random Access Memory by Restricting Formation of Conductive Filaments査読有学術雑誌共著新宮原 正三Japanes Journal of Applied Physicsvol.52, pp. 06GF07-042013年Resistance change random access memory (ReRAM) has been expected to be a next generation non-volatile memory. However, poor reproducibility of threshold voltage at which the dramatic change of the resistivity occurs hinders the practical application. We have attempted to improve the reproducibility of switching voltages using anodic porous alumina whose nanoholes are quite useful to restrict the filament forming area on the basis of the filament model. In this study, we have reported the pore size and film properties dependences of the variation width of the switching voltages. Two kinds of oxide films prepared by oxalic and sulfuric acids with two different anodic times were used as the insulating layer. Contrary to our expectation, just the sulfuric samples indicate good improvement about the switching voltages. Considering that the size of the effective contact area is not enough small against the filament size, the changing the film properties seems to be important for the suppressing the variation of switching voltages.
論文Temperature dependence of resistance of conductive filament formed by dielectric breakdown学術雑誌新宮原 正三 Jpn. J. Appl. Phys.52, 06GF04-52013年
国際学会Fabrication of nanostructured Cu2ZnSnS4 using electrodeposition with AAO templateY.Tanaka;C.Wang;A.Kondo;T.Terui;S.Tanaka;T.Shimizu;S.ShingubaraＭＮＣ２０１２2012年11月 Kobe, Japan
国際学会Electrical properties of metal oxide nanowire formed in anodic aluminum oxide template S.Furuya;S.Otsuka;T,Shimizu;S.Shingubara;T.Watanabe;Y.Yakano,;K.TakaseＭＮＣ２０１２2012年11月 Kobe, Japan
国際学会Temperature dependence of resistance of conductive filament formed by dielectric breakdown S. Otsuka;T. Kato;T. Kyomi;Y. Hamada;Y. Tada;T. Shimizu;S. ShingubaraＭＮＣ２０１２2012年11月 Kobe, Japan
国際学会Control of crystal orientation and diameter of Si nanowire using anodic aluminum oxide templateT.shimizu;S.ShingubaraMNC20122012年11月 Kobe, Japan
国際学会Fabrication of Cu2ZnSnS4 nanowire arrays using electroplating with nanohole templateWANG C;TANAKA Y;TERUI T;TANAKA S;SHIMIZU T;SHINGUBARA SPVSEC 20122012年11月 HANGZHOU. CHINA
論文Resistive switching characteristics of NiO/Ni nanostructure学術雑誌S.Otsuka;S. Furuya;R.Takeda;T.Shimizu;S.Shingubara;T.Watanabe;Y.Takano;K.TakaseMICROELECTRONIC ENGINEERING98, 367-3702012年10月
国際学会Improvement of adhesion strength of electroless barrier layer on SiO2 and control of deposition profile in a high aspect ratio TSVNISHIZAWA S;INOUE F;ARIMA R;SHIMIZU T;SHINGUBARA SADMETA PLUS 20122012年10月 Tokyo Japan
国際学会Fabrication and evaluation of nanowire-based resistive switching device using self-organized templateT.Kyomi;S.Otsuka;Y.Takeda;Y.Sumita;T.Shimizu; S.ShingubaraADMETA PLUS 20122012年10月 Tokyo Japan
国際学会Control of the Morphology of Si Nanostructure Using Single-Step Metal Assisted EtchingYAMAGUCHI T;SHIMIZU T;INOUE F;WANG C;OTSUKA S;TADA YPRiME 20122012年10月 Honolulu, USA
国際学会Control of Adhesion Strength and TSV Filling Morphology of Electroless Barrier LayerARIMA R;INOUE F;MIYAKE H;SHIMIZU T;SHINGUBARA SPRiME 20122012年10月 Honolulu, USA
国際学会Large Resistive Switching Phenomenon Induced by Magnetic Field in Nano Conduction PathKATO T;SHIMIZU T;OTSUKA S;KYOMI T;SHINGUBARA SPriME 20122012年10月 Honolulu, USA
国際学会Electric Conduction Mechanism of Resistive Switching Memory using Anodic Porous AluminaOTSUKA S;SHIMIZU T;SHINGUBARA S;IWATA N;WATANABE T;TAKANO YPRiME 20122012年10月 Honolulu, USA
国際学会Bath Stability Monitoring for Electroless Cu Seed Formation in High Aspect Ratio TSV”Inoue F;Philipsen H.;S. Armini;A. Radisic; Y. Civale;P. Leunissen;S,ShingubaraPrime 20122012年10月 Honolulu USA
学会発表金属触媒とポーラスアルミナを用いた垂直シリコンナノワイヤ配列の形成清水 智弘;夛田 芳裕;山口 卓也;新宮原 正三マイクロ・ナノ工学研究会2012年10月 北九州市
国際学会Electrical properties of metal oxide nanowire formed in anodic aluminum oxide templateSHIMIZU T;KYOMI T;OTSUKA S;TAKASE K;SHINGUBARA SICPS 20122012年9月 Zurich, Swiss
国際学会Collective electronic transport in Au10 clustersM.Inada;K. Fukaya;T. Ogawa;H. Kawasaki;T.shimizu;S. Shingubara;T.SaitohICPS 20122012年9月 Zurich, Swiss
学会発表自己組織テンプレートを用いたナノワイヤ抵抗変化素子の形成と評価京見 拓也;大塚 慎太郎;武田 佳樹;清水 智弘;新宮原 正三応用物理学会2012年9月 松山市
学会発表SiO2上の無電解バリアメタル膜の密着性向上の検討西沢 正一郎;井上 史大;有馬 良平;清水智弘;新宮原 正三応用物理学会2012年9月 松山市
学会発表Fabrication of vertical Cu2ZnSnS4 nanowire arrays using anodic aluminum oxide templates王 崇娥;田中 良典;照井 通文;田中 秀吉;清水 智弘;新宮原 正三応用物理学会2012年9月 松山市
学会発表Au10クラスターの電子輸送特性小川 智矢;深谷 一樹;清水 智弘;新宮原 正三;齊藤 正;稲田 貢応用物理学会2012年9月 松山市
国際学会Novel Seed Layer Formation Using Direct Electroless Copper Deposition on ALD-Ru Layer for High Aspect Ratio TSVその他 F. Inoue;H. Philipsen;A. Radisic;S. Armini;Y. Civale;P. Leunissen;S. ShingubaraIEEE IITC 20122012年6月 San Jose
論文Additional Electrochemical Treatment Effects on the Switching Characteristics of Anodic Porous Alumina Resistive Switching Memory学術雑誌S.Otsuka;R.Takeda;S.Furuya;T.Shimizu;S.Shingubara;T.Watanabe;Y.Takano;K.TakaseJpn.J.Appl.Phys.51-06, 06FF112012年6月
国際学会All-wet Cu-filled TSV Process Using Electroless Co-alloy Barrier and Cu SeedINOUE F;SHIMIZU T;ARIMA R;MIYAKE H;SHINGUBARA SIEEE ECTC 20122012年5月 SanDiego, USA
国際学会Evaluation of morphology and crystal structure of Si nanowires prepared by single-step metal assisted etchingT.Yamaguchi;T.shimizu;F.Inoue;C.Wang;M.Inada;T.Saitoh;S.ShingubaraIEEE IMFEDK 20122012年5月 Osaka, Japan
国際学会Electroless Deposition of Barrier and Seed Layers for Via Last Cu-TSV MetalizationF.Inoue;T.Shimizu;R.Arima;S.ShingubaraIEEE IMFEDK 20122012年5月 Osaka, Japan
国際学会Fabrication of an ordered anodic aluminum oxide pore arrays with an interpore distance smaller than the nano-indentation pitch formed by ion beam etchingC.Wang;K.Saitoh;T.Shimizu;S.Tanaka,;Y.Ishida;S.ShingubaraIEEE IMFEDK 20122012年5月 Osaka, Japan
国際学会Application of electroless plating for the formation of Cu-filled TSVＳｈｉｎｇｕｂａｒａ ＳMSP NEX Symposium 20122012年4月 Seoul, Korea
論文Additional Electrochemical Treatment Effects on the Switching Characteristics of Anodic Porous Alumina Resistive Switching Memory学術雑誌共著S.OtsukaS;R.Takeda;S.Furuya;T.shimizu;S.Shingubara;T.Watanabe;T.Takano;K.Takase51-06,06EF112012年和文
論文Formation of 1D and 2D Gold Nanoparticle Arrays by Divalent DNA-Gold Nanoparticle Conjugates学術雑誌Y.Ohya;N.Miyoshi;M.Hashizume;T.Tamaki;T.Uehara;S.Shingubara;A.KuzuyaSmall8,2335-23402012年
論文Origin of visible photoluminescence from arrays of vertically arranged Si-nanopillars decorated with Si-nanocrystals学術雑誌A S Kuznetsov; T Shimizu;S N Kuznetsov;A V Klekachev;S Shingubara;J Vanacken;V MoshchalkovNanotechnlogy23, 475709 -475715.2012年
論文Fabrication of an Array of Ni/NiO Nanowire-ReRAM Using AAO Template on Si学術雑誌T.Shimizu;Y.Sumita;F.Inoue;T.Minoguchi;S.Shingubarae-Journal of surface Science and Nanotechnology10,476-4792012年
論文Electroless Copper bath stability monitoring with UV-VIS Spectrometry, pH, and mixed potential measurements学術雑誌F.Inoue;H.Philipsen;A.Radisic;S.Armini,; Y.Civale;S.Shingubara;P.LeunissenJ. Electrocemical Society159-7, D437-D4412012年
論文Adsorption of Pd nanoparticles catalyst in high aspect ratio through-Si vias for electroless deposition学術雑誌F. Inoue;T. Shimizu;H. Miyake;R. Arima; T. Ito;H. Seki;Y. Shinozaki,;T. Yamamoto;S. ShingubaraElectrochimica Acta 82, 372-3772012年
論文AgNO3-Dependent Morphological Change of Si Nanostructures Prepared by Single-Step Metal Assisted Etching Method学術雑誌T.Shimizu;T.Yamaguchi;F.Inoue;S.ShingubaraJpn.J.Appl.Phys.51-11,Part2, PE022012年
論文Evaluation of crystal structure of porous Si nanowires prepared by metal assisted etching学術雑誌T.Yamaguchi;T.Shimizu; C.Wang;M.Inada;S.Shingubara;A Kuzunetsov; J.Vanacken ;V.MoschchalkovMaterials Research Society Symp. Proc.1439,AA03-022012年
国際学会“Fabrication of an array of Ni/NiO nanowire-ReRAM using AAO template on Si”Y.Sumita（D);S.Minoguchi（B);S. Otsuka（日大）;K. Takase（日大）;T.Shimizu;S.Shingubara2011年11月 ISSS 2011Tokyo,Japan
国際学会“Additional Electrochemical Treatment Effects on the Switching Characteristics of Anodic Aluminum Oxide ReRAM”,,S. Otsuka （日大）;R. Takeda（日大）;S. Furuya（日大）;H. Miyake（D);T. Shimizu;S. Shingubara;N. Iwata（日大）;T. Watanabe（日大）;Y. Takano（日大）;K. Takase（日大）2011年10月 MNCKyoto, Japan
国際学会“Oxide Thickness Dependence of a Large Magnetoresistance Switching Phenomenon in a Ferromagnetic Nano-conduction Path”K. Shimomura （D);T. Kato（D);T. Iwakura（D);T. Shimizu;S. Shingubara2011年10月 MNCKyoto, Japan
国際学会“Fabrication of an Ordered Anodic Aluminum Oxide Pore Arrays with an Interpore Distance smaller than the Nano-indentation Pitch formed by Ion Beam Etching”C. Wang（D);Y. Ishida（D);Q. Wang（D);T. Yamaguchi（B);S. Tanaka（D);K. Saitoh（NICT);T. Shimizu;S. Shingubara2011年10月 MNCKyoto, Japan
国際学会“Electroless Barrier Deposition with Pd Nanoparticle Catalyst in High Aspect Ratio TSVH. Miyake(D);F. Inoue(D);R. Arima(D);T. Shimizu;S. Shingubara2011年10月 Electrochemical Society Fall Meeting, 2011Boston,USA.
特許出願触媒の吸着処理法および吸着処理装置新宮原正三;井上史大（D);三宅浩志（D);有馬良平（D);岩下光秋(東京エレクトロン）;田中崇(東京エレクトロン）2011年9月 29日特願2011-197510
国際学会“Formation of a fine pitch nanohole array in AAO film on Si substrate by combination of the pattern transfer with IBE and the self-organizing anodic oxidation”T. Shimizu;Y. Ishida（D);S. Shingubara2011年9月 MNEBerlin, Germany
国際学会“Resistive switching characteristics of NiO/Ni nanostructure”S. Otsuka（日大）;S. Furuya（日大）;R. Takeda（日大）;T. Shimizu;S. Shingubara;T. Watanabe（日大）;Y. Takano（日大）;K. Takase（日大）2011年9月 MNEBerlin, Germany
国際学会“Adsorption of Pd Nanoparticle Catalyst for Conformal Electroless Plating of Barrier Layer in a High Aspect Ratio TSV”R. Arima(D);F. Inoue(D);H. Miyake(D);T. Shimizu;T. Ito(東レリサーチセンター）;H. Seki(東レリサーチセンター）;Y. Shinozaki(東レリサーチセンター）;T. Yamamoto(東レリサーチセンター）;S. Tanaka（NICT);T.Terui（NICT);S.Shingubara2011年9月 ADMETA 2011Tokyo, Japan
学会発表無電解バリアメタルを用いたオールウエットCu－TSVの形成と評価有馬良平（D);三宅浩志（D);井上史大（D);清水智弘;新宮原正三pp.197-2002011年9月 MES2011 大阪府吹田市
学会発表電解めっきによるSn-Cu系合金めっき膜の形成と膜特性評価西村清賢（D);井上史大（D);清水智弘;照井通文（NICT);新宮原正三pp.149-1522011年9月 MES2011大阪府吹田市
国際学会“All-Wet TSV Process Using Electroless Barrier and Seed Layers with Pd Nanoparticle Catalyst”H. Miyake (D);F. Inoue(D);R. Arima(D);T. Shimizu;S. ShingubaraISE 20112011年8月 Niigata, Japan
国際学会CU2ZNSNS4 THIN FILMS FORMED BY SINGLE-STEP ELECTRODEPOSITION METHODS FOR ABSORBER LAYERM. Jeon;F. Inoue（D);T. Shimizu;S. Shingubara2011年7月 ICCM18Jeju, Korea
国際学会“Huge magnetoresistance switching in a ferromagnetic nano-conduction-path formed by dielectric breakdown”T. Shimizu;Y. Shiotani（D);K. Shimomura（D);S. Shingubara2011年6月 MORISNijmegen, Netherland
国際学会“Resistance Switching Phenomenon in Nano-Conduction Path formed by dielectric breakdown”T. Shimizu;Y. Shiotani（D);K. Shimomura（D);S. Shingubara2011年5月 IMFEDKOsaka, Japan
国際学会“Control of crystalline orientation and diameter of Si nanowires based on VLS method and electrodeposition of catalyst using AAO template”,Q. Wang（D);T. Shimizu;Shingubara2011年5月 IMFEDKOsaka, Japan
国際学会“Characteristics of AAO template-assisted Cu2ZnSnS4 (CZTS) nanowires synthesized by potential pulsed electrodeposition method”M. Jeon;F. Inoue（D);T. Shimizu;S. Shingubara2011年5月 E-MRS 2011, Spring MeetingNiece, France
国際学会“Huge Resistance Switching Induced by Magnetic Field in a Ferromagnetic Nano-Conduction Path”T. Shimizu;Y. Shiotani（D);K. Shimomura（D);S. Shingubara2011年4月 IntermagTaipei, Taiwan
国際学会“Control of Crystal Orientation of Epitaxial Si nanowires on Si Substrate Using AAO template”T. Shimizu;Q. Wang（D);C. Wang（D);F. Inoue（D);M. Koto（キヤノン）;M. Jeon;S. Shingubara2011年4月 MRSSan Francisco, USA
国際学会“All-Wet Cu-TSV Fabrication Process Using Electroless Barrier and Seed Layers”R. Arima (D);F. Inoue(D);T. Yokoyama(D);H. Miyake(D);S. Tanaka(NICT);T. Terui(NICT);T.Shimizu;S. Shingubara2011年4月 ICEP 2011Tokyo, Japan
学会発表Si基板上に形成したCoナノワイヤ配列の微細化とその磁気特性評価田中良典（D);青木和茂（D);照井通文（NICT);清水智弘;新宮原正三2011年3月 応用物理学会春季講演会厚木市
学会発表3次元LSIに向けた無電解バリア膜の形成及び密着性評価”有馬良平（D);井上史大（D);横山巧（D);三宅浩志（D);清水智弘;新宮原正三2011年3月 応用物理学会春季講演会厚木
学会発表AAOテンプレートを用いたAu/Ag/Auナノワイヤの形成と特性評価綱島祐人（D);井上史大（D);清水智弘;大矢裕一;田中秀吉;新宮原正三2011年3月 応用物理学会春季講演会厚木
論文“Large Magnetoresistance Switching Phenomena in Nanoconduction Path Formed with Dielectric Breakdown of SiO2 Multilayered with Ferromagnetic Film”,査読有学術雑誌共著Y. Shiotani(D);K. Shimomura(D);T. Shimizu;S. ShingubaraJpn. J. Appl. Phys.50, 06GG15-202011年
論文“Preparation of Ultrahigh-Density Magnetic Nanowire Arrays beyond 1 Terabit/Inch2 on Si Substrate Using Anodic Aluminum Oxide Template”査読有学術雑誌共著T. Shimizu;K. Aoki(D);S. Tanaka(NICT);T. Terui(NICT);S. ShingubaraJpn. J. of Appl. Phys.50, 06GE01-042011年
論文”Control of Crystal Orientaion of Epitaxial Si nanowires on Si Substrate Using AAO template”査読有学術雑誌共著T. Shimizu;Q. Wang(D);C. Wang(D);F. Inoue(D);M. Koto(キヤノン）;M. Jeon;S. ShingubaraJpn. J. of Appl. Phys.50, 06GE01-042011年
論文”Control of Crystal Orientaion of Epitaxial Si nanowires on Si Substrate Using AAO template”査読有学術雑誌共著M. Jeon,;T. Shimizu;S. ShingubaraMaterials Research Society1350E, EE03-022011年
論文“Formation and characterization of single-step electro- deposited Cu2ZnSnS4 thin films: Effect of complexing agent volume”,査読有学術雑誌共著M. Jeon;S. Tanaka（NICT);T. Shimizu;S. ShingubaraEnergy Procedia10, 255–2602011年
論文“Formation of electroless barrier and seed layers in a high aspect ratio through-Si vias using Au nanoparticle catalyst for all-wet Cu filling technology”査読有学術雑誌共著F. Inoue（D);T. Shimizu;T. Yokoyama（D);H. Miyake（D);K. Kondo（府立大）;T. Saito（府立大）;T. Hayashi（府立大）;S. Tanaka（NICT);T. Terui（NICT);S. ShingubaraElectrochimica. Acta56, 6245-62502011年
論文“Formation and Evaluation of Electroless-Plated Barrier Films for High-Aspect-Ratio Through-Si Vias”査読有学術雑誌共著H. Miyake （D);F. Inoue（D);T. Yokoyama（D);T. Shimizu;S. Tanaka（NICT);T. Terui(NICT);S. ShingubaraJpn. J. Appl. Phys.50, 05ED012011年
国際学会Reduction of pitch of nanohole array by self-organizing anodic oxidation after pre-patterning with IBE on the surface of Al filmY.Ishida;S.Tanaka;T.Shimizu;S.Shinguhara2010年12月 17日～2010年12月 18日Kobe, Japan
国際学会Fabrication of Various Nanowires Using AAO Template for Preparation of Building Blocks of Highly Functional Nanodevices and Sensorsshoso shingubara2010年12月 17日～2010年12月 18日Kobe, Japan
国際学会Large magnetoresistance observed in a nano-conduction path formed with dielectric breakdown of SiO2 connected with ferromagnetic layerY.Shiotani;K.Shimomura;T.Shimizu;S.Shingubara2010年12月 10日～2010年12月 12日Cheju, South Korea
国際学会Change in magnetoresistance property depending on the state of Ni-oxide memory deviceK.Suzuki;Y.Shiotani,;Y.Sumita;T.Shimizu;S.Shingubara2010年11月 15日～2010年11月 17日Kokura, Japan
国際学会Large magnetoresistance switching phenomena in a nano-conduction path formed with dielectric breakdownY.Shiotani;K.Shimomura;T.Shimizu;S. Shingubara2010年11月 15日～2010年11月 17日Kokura, Japan
国際学会Preparation of Ultra High Density Magnetic Nanowire Arrays beyond 1 Tera Bit / Inch2 on Si Substrate Using AAO TemplateK.Aoki;T.Shimizu;S. Shingubara;Y.Tanaka, T.Terui2010年11月 15日～2010年11月 17日Kokura, Japan
国際学会All-Wet Fabrication Technology for High Aspect Ratio TSV Using Electroless Barrier and Seed Layersその他共著Fumihiro Inoue;Takumi Yokoyama;Hiroshi Miyake;Shukichi Tanaka;Toshifumi Terui;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara2010年11月 13日～2010年11月 15日Munich,Germany英文
国際学会Improvement in the deposition profile of electroless plated barrier on TSV sidewall and evaluation of the barrier film propertiesTakumi Yokoyama;Fumihiro Inoue;Shokiti Tanaka;Toshifumi Terui;Shoso Shingubara2010年10月 9日～2010年10月 14日Las Vegas, USA
国際学会Formation of Electroless Barrier Layer Using Au Nanoparticles Catalyst for All-Wet TSV-Fill TechnologyFumihiro Inoue;Takumi Yokoyama;Shokiti Tanaka;Toshifumi Terui;Shoso Shingubara;Tomohiro Shimizu2010年10月 9日～2010年10月 14日Las Vegas, USA
国際学会Conformal Electroless Deposition of Barrier and Cu Seed Layers for Realizing All-Wet TSV Filling ProcessShoso Shingubara;Fumihiro Inoue;Takumi Yokoyama;Shokiti Tanaka;Toshifumi Terui;Tomohiro Shimizu2010年10月 9日～2010年10月 14日Las Vegas, USA
国際学会Formation and Evaluation of Electroless Barrier Films for High Aspect Ratio Through-Si Viasその他共著H. Miyake;F. Inoue;T. Yokoyama;T. Shimizu;S. Tanaka;T. Terui;S.Shingubara2010年9月 25日～2010年9月 27日Tokyo和文出願人；関西大学
学会発表金ナノ粒子を触媒とした無電解Ni，Co合金めっき膜の形成とTSVへの応用の検討三宅 浩志 ;井上 史大 ; 横山 巧;清水 智弘;新宮原 正三2010年9月 10日滋賀県
学会発表絶縁破壊により形成された微細導通経路における抵抗揺らぎ特性下村 耕平;，塩谷 裕一;清水智弘;新宮原 正三2010年9月 3日～2010年9月 6日長崎市
学会発表電解めっき形成Sn/Cu積層膜の界面合金層の評価西村清賢;井上史大;横山巧;清水智弘;新宮原正三2010年9月 3日～2010年9月 6日長崎市
学会発表ＶＬＳ法によるシリコンナノワイヤ成長 イールドの改善古藤 誠;石田康晴;清水智弘;新宮原 正三2010年9月 3日～2010年9月 6日長崎市
学会発表無電解めっき形成バリア・シード層を用いた高アスペクト比TSV形成井上 史大;横山 巧;三宅 浩志;清水 智弘;新宮原 正三2010年7月 25日～2010年7月 26日横浜市
国際学会The Effect of Electroless Barrier Layer Deposition on SiO2 with Au Nano Particles in a Through Si ViaF. Inoue;T. Yokoyama;H. Miyake;S. Tanaka;K. Yamamoto;S. Shingubara2010年6月 4日～2010年6月 7日San Francisco,USA
国際学会Study of Electroless Plating for Low Resistance 3D InterconnectF. Inoue;T. Yokoyama;H. Miyake;S. Tanaka;K. Yamamoto;S. Shingubara2010年5月 16日～2010年5月 17日Osaka, Japan
論文Reduction of pitch of nanohole array by self-organizing anodic oxidation after nanoimprintin学術雑誌共著S. Shingubara;S. Maruo,;T. Yamashita;M. Nakao;T. Shimizu872010年英文
論文Strain imaging of a perpendicular recording head in a Hard Disk Drive学術雑誌共著K.Takata,;N.Kurata,;S.Tamura;,S.Shingubara;S.Nakahara;N.Tagawa;Y.Arai322-62010年英文
論文TRIAXIS MAGNETORESISTIVE (MR) SENSOR USING PERMALLOY PLATE OF DISTORTING MAGNETIC FIELD学術雑誌共著Suzuki M;Fukutani T;Hirata T;Aoyagi S;Shingubara S;Tajiri H;Yoshikawa Y;Nagahata T2010年英文
論文Effect of PEG molecular weight on bottom-up filling of copper electrodeposition for PCB interconnects学術雑誌共著Yin L;Liu ZH;Yang ZP;Wang ZL;Shingubara, S88-32010年英文
論文Addition of PEG-Thiol to Cu Electroless Plating Bath for Realizing Perfect Conformal Deposition in Through-Si Via Holes for 3-D Integration学術雑誌共著F. Inoue;T. Yokoyama;S. Shingubara;K. Yamamoto;S. Tanaka25－382010年英文
国際学会Reduction of the Pitch of the Nano-Hole Array by Self-Organizing Anodic Oxidation After Nano-Imprinting共著S. Maruo;T. Yamashita;M. Nakao;T.Shimizu;S. Shingubara2009年9月 28日～2009年9月 30日MNE 2009Ghent, Belgium英文
学会発表Ni-アルミナ・ナノコンポジットにおける巨大磁気抵抗スイッチング現象共著塩谷裕一;山西卓;村上勝久;清水智弘;新宮原正三2009年9月 12日～2009年9月 14日磁気学会2009年度学術講演会長崎市和文
学会発表微小Niショットキー接合の形成と磁気伝導特性評価共著鈴木克哉;山西卓;塩谷裕一;新宮原正三2009年9月 8日～2009年9月 11日第70回応用物理学会学術講演会富山市和文
学会発表配線技術の課題と展望単著新宮原 正三2009年9月 8日～2009年9月 11日第70回応用物理学会学術講演会富山市和文
国際学会Cu Filling Characteristics in Through-Si Via Holes by Electroless Plating with Addition of Inhibitors共著S. Shingubara;F. Inoue;Z. Wang;K. Yamamoto;S. Tanaka2009年8月 12日～2009年8月 15日Intern.Symp.on Frontiers of Electrochemical Science and TehnologyXi’an, China英文
国際学会Enormous Magneto-resistance Switching Observed in Ni-diffused Anodic Aluminum Oxide共著S.Yamanishi;Y.Shiotani;K.Murakami;T.Shimizu;S. Shingubara2009年7月 27日～2009年7月 31日International Conference on Magnetism 2009Karlsruhe, Germany英文
国際学会Study of Low Resistance TSV Using Electroless Plated Copper and Tungsten-alloy Barrier共著F.Inoue;T.Yokoyama;S.Tanaka;K.Ymamoto;M.Koyanagi;T.Fukushima;Z.Wang;S.Shingubara2009年6月 2009 IEEE IITCSapporo英文
国際学会ENORMOUS RESISTANCE SWITCHING PHENOMENA OBSERVED IN NICKEL-ALUMINIUM-OXIDE NANOCOMPOSITE共著S.Yamanishi;Y.Siotani;K.Murakami;T.Shimizu;S. Shingubara2009年5月 2009 IEEE INTERMAGSacramento, USA英文
国際学会Cu Fill Properties in the High Aspect Ratio Through-Si Via Hole by Electroless Plating共著F. Inoue;K. Yamamoto;S. Tanaka;Z. Wang;S. Shingubara2009年4月 2009 ICEPKyoto Japan英文
学会発表無電解めっきによるNiW合金／Cu積層膜の形成と評価共著横山巧;上田淳貴;井上史大;新宮原正三;関西大学2009年3月 平成21年春季応用物理学関係連合後援会つくば市和文
論文Vertical Epitaxial Wire-on-Wire Growth of Ge/Si on Si (100) Substrate査読有学術雑誌共著T. Shimizu;Z. Zhang;S. Shingubara;S. Senz;U. GoeseleNano Lett9 (4), pp.1523-15262009年英文
論文Filling of FePt in AAO Nanohole Array by DC Pulsed Electrodeposition査読有学術雑誌共著H.Mori;T.Korenaga;N.Hosomi;T.Terui;S.ShingubaraECS Transactions16 (45), pp.65-712009年英文
論文Cu Deposition Characteristics in Through-Si-Via by Electroless Plating with Addition of Inhibitors査読有学術雑誌共著F.Inoue;M.Koyanagi;T.Fukushima;K.Yamamoto;S.Tanaka;Z.Wang;S.ShingubaraECS Transactions16(22), pp.27-322009年英文
論文Measurement of electromigration-induced stress in aluminum alloy interconnection査読有学術雑誌共著K.Kusaka;T.Hanabusa;S.Shingubara;T.Matsue;O,SakataVacuum83, pp.637-6402009年英文
国際学会Fabrication of Metal Nanowires Sandwiched with Gold for Self-Assembling of NW sensors共著M. Yamanaka;K.Aoki;Ishida;Y. Ohya;S. Tanaka;T.Shimizu;S. Shingubara2008年12月 2008 ICNMEKobe, Japan英文
国際学会Aspect Ratio Dependence of M-H Switching Characteristics of Oblong Ferromagnetic Film共著H.Oka;S.Yamanishi;S.Shingubara;K.Akabane2008年10月 2008 IUMRSNagoya, Japan英文
国際学会Synthesis of size-controlled metal nanowires toward self-assembling of NW networks共著M.Yamanaka;H.Mori;Y.Ohya;S.Tanaka;K.Ijiro;S.Shingubara2008年10月 2008 IUMRSNagoya, Japan英文
国際学会Realizing 1/√3 pitch of the alumna nano-hole array by self-organizing anodic oxidation after nano-imprinting共著S. Maruo;T. Yamashita;M. Nakao;T.Shimizu;S. Shingubara2008年10月 2008 International Conference of MNCHakata, Japan英文
論文Investigations of Cu Filling in Through-Si Via Holes Using Direct Electroless Plating on CVD-W査読有その他共著F.Inoue;M.Koyanagi;T.Fukushima;K.Yamamoto;S.Tanaka;Z.Wang;S.ShingubaraADMETA 20092008年9月 2008 Advanced Metallization Conference東京英文
国際学会Fabrication and characterization of diameter controlled Ag and Ni nanowires for bio-sensing devices共著S.Shingubara;T.Shimizu;N.Yamanaka2008年9月 2008 E-MRS Fall MeetingWarsaw, Poland英文
国際学会Epitaxial growth of vertical group IV semiconductor nanowires on Si (100) substrate using anodic alumina template共著Tomohiro Shimizu;Zhang Zhang;Xie Tian;Jo Nishikawa;Shoso Shingubara;Stephan Senz;Ulrich Gösele2008年9月 2008 International Conf .on Solid State Devices and MaterialsTsukuba, Japan英文
国際学会Investigations of Cu Filling in Through-Si Via Holes Using Direct Electroless Plating on CVD-W共著F.Inoue;M.Koyanagi;T.Fukushima;K.Yamamoto;S.Tanaka;Z.Wang;S.Shingubara2008年9月 2008 Advanced Metallization ConferenceTokyo英文
学会発表Niナノワイヤの形成と磁気伝導特性評価共著山西卓;河上茂太;新宮原正三;清水智弘;関西大学;Max Planck Institute of Microstructure physics, Germany2008年9月 第69回応用物理学会学術講演会和文
学会発表電圧刺激に誘起されたパターン化ゲルのBZ振動現象共著白木裕介;西河丞;新宮原正三;加藤直彦2008年9月 第69回応用物理学会学術講演会和文
国際学会Bottom-up Electroless Copper Plating Technology for through Si-Via Filling共著F.Inoue;K.Yamamoto;S.Tanaka;Z.Wang;S.Shingubara2008年5月 2008 3D-SiC Internsational ConferenceTokyo, Japan英文
国際学会Reduction of nanohole pitch from that of pre-imprinted one in AAO by adjusting anodic voltage共著S.Shingubara;T.Yamashita;K.Maruo;M.Nakao;T.Shimizu2008年3月 2008 MRS Spring MeetingSan Francisco英文
学会発表ナノインプリント制御によるアルミナナノホール配列のピッチ縮小に関する研究共著丸尾 賢;新宮原正三;中尾 正史;山下 尊史2008年3月 2008年春電気化学会講演会甲府市和文
学会発表Co還元無電解めっきによる銀薄膜の形成共著井上史大;原田優作;田中秀吉;山本和広;新宮原正三2008年3月 2008年春電気化学会講演会甲府市和文
論文Characterization of sputtered tungsten nitride film and its application to Cu electroless plating査読有学術雑誌共著ZL Wang;ZH Liu;ZP Yang;S.ShingubaraMICROELECTRONIC ENGINEERING85-2, pp.395-4002008年英文
国際学会Detection of Interconnect Reliability Failures by Non-Biased / Biased IR-OBIRCH Method学術雑誌共著S.Shingubara;Y.Harada;S.Nakahara;M.Kawakami;K.Koshikawa;T.NakamuraMaterials Research Society.vol. XXIII, pp.729-7332008年Proc. of Advanced Metallization Conference 2007英文
著書LSI配線技術の発展分担執筆新宮原 正三;ADMETA記念誌編集委員会編ADMETA委員会発行2007年10月 和文
論文Synthesis of vertical high-density epitaxial Si(100) nanowire array on a Si (100) substrate using an anodic aluminum oxide template査読有学術雑誌共著T.Shimizu;T.Xien;J.Nishikawa;S.Shingubara;S.Senz;U.GoseleAdv. Mater19, pp.9172007年5月 英文
論文Synthesis of epitaxial Si(100) nanowires on Si (100) substrate using vapor-liquid-solid growth in anodic aluminum oxide nanopore array査読有学術雑誌共著T.Shimizu;S.Senz;S.Shingubara;U.GoseleApplied PhysicsA87, pp.607-6102007年2月 英文
学会発表無電解銅めっきによる微細ホールのボトムアップ堆積共著原田優作;実吉要文;奥村典昭;新宮原正三第17回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集pp.263-2662007年MES2007和文
学会発表Si基板上へのFePt膜の電解めっき形成共著森裕紀;山下尊史;浮田真司;松田亜弓;新宮原正三p.4792007年第68回応用物理学会学術講演会和文
学会発表インプリント法を用いた陽極酸化アルミナ・ナノホール配列の形成共著山下尊史;丸尾賢;新宮原正三;中尾正史;田中秀吉講演要旨集p.732007年第27回表面科学講演会和文
学会発表BZ反応によるパターン化ゲルの振動現象共著西河丞;白木裕介;新宮原正三;加藤直彦講演要旨集p.1532007年第27回表面科学講演会和文
国際学会Diameter controlled CVD growth of CNTs using AAO template on Si substrate with Ni silicide catalyst共著S.Shingubara;T. Ishida;T.Shimizu;T.Takahagi2006年12月 13日～2006年12月 15日ICMNE2006 (The 7th Intern.Conf. on Nano-Molecular Electronics)英文
国際学会Fabrication of Nanohole Arrays in Anodized Aluminum Oxide with Gold at the bottom as templates t toward one dimensional organic nanostructures共著K. Ogata;S. Shingubara1;H. Yorozu;T. Nakanishi2006年12月 13日～2006年12月 15日ICMNE2006 (The 7th Intern.Conf. on Nano-Molecular Electronics)英文
学会発表陽極酸化アルミナ膜におけるマイクロホールの形成現象共著山下尊史;浮田真司;新宮原正三2006年9月 14日～2006年9月 15日電気化学会秋季講演会京都和文
国際学会Large Negative Resistance Observed in 3-D Network of DNA and Gold Nanoparticle Formed by DNA Mediated Self-organization共著S. Shingubara;Y. Fujii;M.Hosoda;T. Takahagi2006年7月 31日～2006年8月 4日International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (Nano9)Switzerland, Basel英文
国際学会Diameter controlled CVD growth of CNTs using AAO template on Si substrate with Ni silicide catalyst共著S.Shingubara;T. Ishida;T.Shimizu;T.Takahagi2006年7月 31日～2006年8月 4日International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (Nano9)Switzerland, Basel英文
論文Thermal Stress Behavior in Nano-size Thin Aluminum Films査読有学術雑誌共著T.Hanabusa;K.Kusaka;S.Shingubara;O.SakataInternational J. of Modern Physics B20, pp.4691-46962006年7月 英文
学会発表陽極酸化アルミナナノホールを用いた強磁性ナノロッド配列の形成と評価共著西河丞;山下尊史;清水智弘;石田友幸;新宮原正三2006年5月 19日～2006年5月 21日ナノ学会第4回大会京都和文
学会発表ポーラスアルミナナノホールを用いたCVD成長CNTの直径制御共著河上茂太;石田友幸;清水智弘;新宮原正三2006年5月 19日～2006年5月 21日ナノ学会第4回大会京都和文
学会発表陽極酸化アルミニウムのフォトルミネッセンス特性共著尾形健一;萬宏己;中西忠彦;新宮原正三2006年5月 19日～2006年5月 21日ナノ学会第4回大会京都和文
論文Epitaxial growth of Cu nanodot arrays using an AAO template on a Si substrate査読有学術雑誌共著T.Shimnizu;M.Nagayanagi;T.Ishida;O.Sakata;T.Oku;H.Sakaue;T.Takahagi;S.ShingubaraElectrochemical and Solid-State Letters9 (4), pp.J13-J162006年4月 英文
新聞記事ハードデイスクの超高密度化実現へ新宮原 正三日刊工業新聞2006年3月 16日和文
学会発表陽極酸化アルミナ・テンプレートを用いたSi基板上でのエピタキシャルCuナノドット配列の形成共著清水智弘;石田友幸;尾形健一;坂上弘之;高萩隆行;坂田修身;新宮原正三2006年3月 応用物理学会東京和文
著書金属微細配線におけるマイグレーションのメカニズムと対策分担執筆新宮原 正三サイエンス＆テクノロジー2006年和文
著書めっき最新技術～メカニズムの考察と品質向上～分担執筆新宮原 正三無電解めっき技術 技術情報機構第4章3節2006年和文
雑誌記事自己組織化ナノホールを用いた超高密度磁気記録新宮原 正三日経ナノテク記事2005年11月 和文
国際学会Growth of diameter controlled CNTs by catalytic CVD using porous alumina templateその他共著T.Ishida;T.Shimizu;H.Sakaue;T.Takahagi;S.Hisada;S.Nakahara;T.Fujita;S.ShingubaraEPTM 20052005年10月 4th International Symposium on Electrochemical Processing of Tailored Materials(EPTM)英文
国際学会Preparation of nano-sized template using AAO nanoholes for growth of epitaxial nanocolumn arraysその他共著T. Shimizu;T. Ishida;H. Sakaue;T. Takahagi;O. Sakata;S. ShingubaraEPTM 20052005年10月 4th International Symposium on Electrochemical Processing of Tailored Materials(EPTM)英文
学会発表自己組織化ＡＡＯナノホール二次元配列からのＣＮＴの選択ＣＶＤ成長共著石田友幸;清水智弘;新宮原正三2005年9月 応用物理学会和文
学会発表陽極酸化アルミナを用いた磁性ナノロッド配列の形成と磁気特性共著清水 智弘;石田 友幸;徐 軍;新宮原 正三2005年9月 応用物理学会和文
論文Fabrication of Carbon Nanotube and Nanorod Arrays Using Nanoporous Templates査読有学術雑誌共著S. Huang;T. Shimizu;H. Sakaue;S.Shingubara;T. TakahagiJapanese Journal of Applied Physics44-7A, pp.5289-52912005年7月 和文科研費基盤研究
論文In-situ observation of thermal stresses in nano-size Thin Aluminum Films査読有学術雑誌共著T.Hanabusa;K.Kusaka;S.Shingubara;O.SakataMaterials Science Forum490-491, pp.577-582.2005年6月 英文科研費基盤研究
著書塗工・成膜における密着・接着性の制御とその評価分担執筆新宮原 正三電解・無電解めっきにおける銅製膜・配線の形成と密着性向上法 技術情報協会第6章5節2005年5月 和文
学会発表自己組織化ＡＡＯナノホール配列からのＣＮＴの選択CVD成長共著石田 友幸;清水 智弘;Hao-Ting;新宮原 正三2005年3月 応用物理学会東京和文
論文Epitaxial Silicon Growth by Load-Lock Low Pressure Chemical Vapor Deposition System for Elevated Source/Drain Formation査読有学術雑誌共著M.Nakano;H. Kotaki;K. Ohta;S. ShingubaraJapanese Journal of Applied Physics44-1, pp.1-42005年英文科研費基盤研究
論文Contact Resistance Reduction Using Vacuum Loadlock System and Plasma Dry Cleaning査読有学術雑誌共著H. Miya;S. Shingubara;H. Sakaue;T. TakahagiJapanese Journal of Applied Physics44-6A, pp.3860-38632005年英文科研費基盤研究
論文Formation of Damascene Interconnections and Its Electrical Characteristics by Bottom-up Electroless Cu plating査読有学術雑誌共著Z.Wang;R.Obata;O.Yaegashi;T.Hao;H.Sakaue;T.Takahagi;S.ShingubaraMat.Res.Soc.Symp.Proc. .AMC-XX, pp.299-3042005年英文科研費基盤研究
論文Formation of ultra high density ferromagnetic column arrays beyond 1 Tera/inchi2 using porous alumina template査読有学術雑誌共著SHINGUBARA Shozo;T.Shimizu;N.Nagayanagi;Y.Fujii;O.Yaegashi;G.R.Wu;H.Sakaue;T.Takahagi;S.SakataTransaction of Magnetic Society of Japan4, 231-2342004年英文科研費基盤研究
論文Wet treatment for preparing atomically smooth Si(100) wafer surface査読有学術雑誌共著H.Sakaue;T.Taniguchi;Y.Okamura;S.Shingubara;T.TakahagiApplied Surface Science,234,pp.39-4442004年英文科研費基盤研究
論文Control of Self-Organization Conditions of Porous Alumina Film Using a Mixture of Oxalic Acid and Sulfuric Acid査読有学術雑誌共著S.Shingubara;K.Morimoto;H.Sakaue;T.TakahagiElectrochemical and Solid-state Letters7 (3) pp.E15-E172004年英文科研費基盤研究
論文Effects of the surface pressure on the formation of Langmuir-Blodgett monolayer of nanoparticles査読有学術雑誌共著Huang S;Minami K;Sakaue H;Shingubara S;Takahagi TLangmuir20,p.22742004年英文科研費基盤研究
論文Aspect Ratio Dependence of Magnetic Hysteresis Property of High Density Co Wire Array Buried In Porous Alumina Template査読有学術雑誌共著S.Shingubara;K.Morimoto;M.Nagayanagi;T.Shimizu;O.Yaegashi;G.R.Wu;H.Sakaue;T.Takahagi;K.TakaseJ. Magnetics and Magnetic Materials272-276, pp.1598-1599.2004年英文科研費基盤研究
論文Pulsed DC and AC Electromigration Studies of Cu Dual damascene Interconnects査読有学術雑誌共著S.Shingubara;K.Oshima;H.Ting;T.IshidaAIP Conf. Proc.741, pp.180-1872004年英文科研費特定領域研究
論文Effect of Additives on Hole Fill Property in Electroless Copper Plating査読有学術雑誌共著Z. Wang;O. Yaegashi;H. Sakaue;T. Takahagi;S. ShingubaraJpn.J.Appl.Phys.43-10, pp.7000-7001,2004年英文科研費特定領域研究
論文Bottom-up fill for Submicrometer Copper Via Holes of ULSIs By Electroless Plating査読有学術雑誌共著Z. Wang;O. Yaegashi;H. Sakaue;T. Takahagi;S. ShingubaraJ of Electrochemical Society151 (12) , pp. C781-C7852004年英文科研費基盤研究
論文Formation of 10 nm Continuous Cu Film in a Fine Hole by Electroless Plating for Seed Layer Application査読有学術雑誌共著Z.Wang;O.Yaegashi;H.Sakaue;Takahagi;S.ShingubaraMat.Res.Soc.Symp.Proc.AMC-XIX, pp.567-572.2004年英文科研費特定領域研究
論文Bottom-up fill of Cu in deep submicron holes by electroless plating査読有学術雑誌共著S.Shingubara;Z.Wang;S.Yaegashi;R.Obata;H.Sakaue;T.TakahagiElectrochem. Solid-State Letters,7, pp.C78-C80.2004年英文科研費基盤研究
論文Formation of Nanomaterials by Porous Alumina Template” -Review Paper査読有学術雑誌単著SHINGUBARA ShozoJ.of Nanoparticle Research5, pp.17-30.2003年英文科研費基盤研究
論文Formation of Aluminum Nanodot Array by Combination of Nano-indentation and Anodic Oxidation of Aluminum査読有学術雑誌共著Shoso Shingubara;Yusuhiko Murakami;Kazunori Morimoto;Takayuki TakahagiSurface Science532-535, pp.317-323.2003年英文科研費基盤研究
論文Thickness Dependence of Hysteresis Property of Ferromagnetic Dots査読有学術雑誌共著Guang Ri Wu;Shoso Shingubara;Koji Watanabe;Hiroyuki Sakaue;Takayuki TakahagiJpn.J.Appl.Phys42, pp.5038-5039.2003年英文科研費基盤研究
論文Depth profile analysis of polyimide film treated by potassium hydroxide査読有学術雑誌共著Okumura H;Takahagi T;Nagai N;Shingubara SJOURNAL OF POLYMER SCIENCE PART B-POLYMER PHYSICS41-17 , pp.2071-2078.2003年英文科研費基盤研究
論文Bottom-up Fill of Copper in High Aspect Ratio Via Holes by Electroless Plating査読無学術雑誌共著S.Shingubara;Z.Wang;O.Yaegashi;R.Obata;H.Sakaue;T.TakahagiTechnical Digest of IEEE IEDMpp.147-1502003年英文科研費特定領域研究
論文Electroless plating of Cu using ICB deposited Pd catalysis layer査読有学術雑誌共著Z. Wang;S. Yaegashi;H.Sakaue;T.Takahagi;S.ShingubaraJpn.J.Appl.Phys. Express Letter,42 ,pp.L1223-L1225.2003年英文科研費特定領域研究
論文Suppression of native oxide growth in sputtered TaN films and its application for Cu electroless plating査読有学術雑誌共著Z. Wang;S. S.Yaegashi;H.Sakaue;S.Shingubara;TakahagiJ.Appl.Phys.94, p.4697.2003年英文科研費特定領域研究
論文Low Dielectric Constant Porous Diamond Films Formed by Diamond Nano-Particles査読有学術雑誌共著H.Sakaue;N.Yoshimura;S.Shingubara;T.TakahagiAppl.Phys.Lett.83 (11) pp.2226-2228.2003年英文科研費特定領域研究
論文Influence of Surface Oxide of Sputtered TaN on Displacement Plating of Cu査読有学術雑誌共著Zenglin Wang;Hiroyuki Sakaue;Shoso Shingubara;Takayuki TakahagiJpn.J.Appl.Phys.42 pp.1843-1846.2003年英文科研費特定領域研究
論文Off-time Dependence of Electromigration MTF in Pulsed DC Stressing Tests査読有学術雑誌S.Miyazaki;S.Shingubara;H.Sakaue;T.TakahagiMat.Res.Soc.Conf.Proc.ULSI-XVIII, pp.279-284.2003年英文科研費特定領域研究
論文Computer-Aided Chemistry Estimation Method of Electronic-Polarization Dielectric Constants for the Molecular Design of Low-k Materials査読有学術雑誌共著Takayuki Takahagi*;Atsushi Saiki;Hiroyuki Sakaue;Shoso ShingubaraJpn. J. Appl. Phys.42, pp. 157-161.2003年英文科研費基盤研究
論文Electroless Plating of Cu Initiated by Displacement Reaction on Metal-Nitride Diffusion Barriers査読有学術雑誌共著Zenglin Wang;Hiroyuki Sakaue;Shoso Shingubara;Takayuki TakahagiElectrochem. Solid-State Lettters,6 (3) , pp. C38-C41.2003年英文科研費特定領域研究
論文Optical spectroscopic studies of the dispersibility of gold nanoparticle solutions査読有学術雑誌共著Huang SH;Minami K;Sakaue H;Shingubara S.;Takahagi TJ. Appl.Phys.92 (12),pp.7486-74902002年英文科研費特定領域研究
論文Formation of Al Dot Hexagonal Array on Si Using Anodic Oxidation and Selective Etching査読有学術雑誌共著S.Shingubara;Murakami;H.Sakaue;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.41, pp.L340-343.2002年英文科研費特定領域研究
論文A Novel Method to Improve Adhesion of Electroless Copper Deposition on Polyimidde Substrate査読有学術雑誌共著Z.Wang;A.Furuya;K.Yasuda;H.Ikeda;T.Baba;M.Hagiwara;S.Toki;S.Shingubara;H.Kubota;T.OhmiJ. Adhesion Technology,16 , pp.1027-1040.2002年英文科研費特定領域研究
論文Direct Electroless Copper Plating on Barrier Metals without Pd Catalyst査読有学術雑誌共著Z. Wang;T. Ida;H. Sawa;H. Sakaue;S. Shingubara;T. TakahagiMRS Conf. Proc.ULSI-XVII , pp.185-190.2002年英文科研費特定領域研究
論文Improved Mechanical Strength of Porous Diamond Film by HCDS treatment査読有学術雑誌共著H. Sakaue;N. Yoshimura;S. Shingubara;T. TakahagiMRS Conf.Proc.ULSI-XVII , pp.313-318..2002年英文科研費特定領域研究
論文Evaluation of Temperature Rise Due to Joule Heating and Preliminary Investigation of Its Effect on Electromigration Reliability査読有学術雑誌共著S.Shingubara;S.Miyazaki;H.Sakaue;T.TakahagiAmerican Institute of Physics Conf Proc.vol.612, pp.94-104.2002年英文科研費特定領域研究
論文Fabrication of Nanohole Array on Si Using Self-Organized Porous Alumina Mask査読有学術雑誌共著S.Shingubara;O.Okino;H.Sakaue;T.TakahagiJ.Vacuum Sci.Technol.B 19, pp.1901-1904.2001年英文科研費特定領域研究
論文Experimental Conditions for a highly ordered monolayer of gold nanoparticles fabricated by the Langmuir-Blodgett method査読有学術雑誌共著S.Huang;G.Tsutsui;H.Sakaue;S.Shingubara;T.TakahagiJ.Vac.Sci.Technol.B19, pp. 2045-20492001年英文科研費特定領域研究
論文Atomic-scale defect control on hydrogen-terminated silicon surface at wafer scale査読有学術雑誌共著H.Sakaue;S.Fujiwara;S.Shingubara;T.TakahagiAppl. Phys. Lett.86, pp.309-311.2001年英文科研費基盤研究
論文Well-size-controled Colloidal Nanoparticles Dispersed in Organic Solvent査読有学術雑誌G.Tsutsui;S.Huang;H.Sakaue;S.Shingubara;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.40, pp.346-349.2001年英文科研費基盤研究
論文Formation of a Large-scale Langmuir-Blodgett Monolayer of Alkanethiol-encapsulated Gold Particles査読有学術雑誌共著S. Huang;G. Tsutsui;H. Sakaue;S. Shingubara;T. TakahagiJ. Vac. Sci. Technol.B19,pp. 115-1202001年英文科研費基盤研究
論文Scanning Electron Microscope Observation of Heterogeneous Three-Dimensional Nanoparticle Arrays Using DNA査読有学術雑誌共著T.Takahagi;G.Tsutsui;S.Huang;H.Sakaue;S.ShingubaraJpn.J.Appl.Phys.40, pp.L521-L523.2001年英文科研費基盤研究
論文Adsorbed Water on a Silicon Wafer Surface Exposed to Atmosphere査読有学術雑誌共著T.Takahagi;H.Sakaue;S.ShingubaraJpn.J.Appl.Phys.40, pp.6198-6201.2001年英文科研費特定領域研究
論文Effect of Pd Catalyst Adsorptionon on Cu Filling Characteristics in Electroless Plating査読有学術雑誌共著S. Shingubara;T. Ida;H. Sawa;H. Sakaue;T. TakahagiMat.Res.Soc.Conf.Proc.ULSI-XVI pp.229-234.2001年英文科研費特定領域研究
論文Low Dielectric Constant Porous Diamond Film Composed of Diamond Nano-Particles”査読有学術雑誌共著H.Sakaue;Y.Yoshimura;S.Shingubara;T.TakahagiMat.Res.Soc.Conf.Proc.ULSI-XVI pp.647-652..2001年英文科研費特定領域研究
論文Study of dielectric constant due to electronic polarization using a semiemperical molecular
orbital method I査読有学術雑誌共著K. Yamada;A.Saiki;S.Sakaue;S.Shingubara;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.40, pp.4829-4836.2001年英文科研費特定領域研究
論文Electrical Properties of Self-organized Nanostructures of Alkanethiol-encapsulated gold particles査読有学術雑誌共著S.Huang;G.Tsutsui;H.Sakaue;S.Shjingubara;T.TakahagiJ. Vac. Sci.&Tech.B 18-6, pp.2653—26572000年英文科研費基盤研究
論文Electromigration induced edge drift velocity measurement by Blech pattern attached with multiple voltage proves査読有学術雑誌共著S.Shingubara;T.Osaka;H.Sakaue;T.Takahagi;A.H.VerbruggenMat.Res. Soc. Proc.ULXI-XV, pp.727-7332000年英文科研費基盤研究
論文Control of Interdot Space and Dot Size in a Two-Dimensional Gold Nanodot Array査読有学術雑誌共著S. Huang;G. Tsutsui;H. Sakaue;S. Shingubara;T. TakahagiJpn. J. Appl. Phys.38 , pp.L473-L4761999年英文科研費基盤研究
論文Self-Organized Gold Nanodots Array on a Silicon Substrate and Its Mechanical Stability査読有学術雑誌共著G.Tsutsui;S.Huang;H.Sakaue;S.Shingubara;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.38 pp.L1488-1490.1999年英文科研費基盤研究
論文Two Dimensional Nanowire Formation on Si Substrate Using Self-organized Nanoholes of Anodically Oxidized Aluminum査読有学術雑誌共著S.Shingubara;O.Okino;Y.Sayama;H.Sakaue;T.TakahagiSolid State Electronics43 pp.1143-1146.1999年英文科研費基盤研究
論文Correlation between Agglomeration of a Thin Film and Reflow-Filling in a Contact Hole for Sputtered Al Films査読有学術雑誌共著S.Shingubara;H.Kotani;H.Sakaue;F.Nishiyama;T.TakahagiJ. of Vacuum Science and Technology B,B17 pp.2553-2558.1999年英文科研費基盤研究
論文Electromiogration Reliability Study of a GMR Spin Valve Devices査読有学術雑誌共著S.Shingubara;Y.Takeda;H.Sakaue;T.TakahagiMRS Symp.Proc.563, pp.145-150.1999年英文科研費基盤研究
論文Multiprobe resistance change monitoring of Blech pattern during electromigration testing査読有学術雑誌共著S.Shingubara;T.Osaka;H.Sakaue;T.Takahagi;A.H.VerbruggenAmerican Institute of Physics Proceedings278, pp.138-149.1999年英文科研費基盤研究
論文Growth of Galium Phosphide Layers by Chemical Beam Epitaxy on Oxide Patterned (001)
Silicon Substrate査読有学術雑誌共著V. Narayan;S.Mahajan;N.Sukidi;N.Dietz;K.J.Bachmann;S.ShingubaraMater. Sci. Eng.B54 pp. 207-209.1998年英文科研費基盤研究
論文Self-organization of a Two-dimensional Array of Gold Nanodots Encapsulated by Alkanethiol査読有学術雑誌共著S.Huang;H.Sakaue;S.Shingubara;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.37 pp.7198-7201.1998年英文科研費基盤研究
論文Directional Copper Deposition Using DC Magnetron Self-Sputtering査読有学術雑誌共著Z.J.Radzimski;W.P.Posadowski;S.M.Rossnagel;S.ShingubaraJ.Vac.Sci.&Tecnol.B16 pp.1102 - 1106.1998年英文科研費基盤研究
論文Ordered Two Dimensional Nanowire Array Formation Using Self-Organized Nanoholes of Anodically Oxidized Aluminum査読有学術雑誌共著S.Shingubara;O.Okino;Y.Sayama;H.Sakaue;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.36-12, pp.7791-77951997年英文科研費基盤研究
論文Highly Selective SiO2 Etching Using CF4/C2H4査読有学術雑誌共著H.Sakaue;A.Kojima;N.Osada;S.Shingubara;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.vol.36 , pp.2477-2481.1997年英文科研費基盤研究
論文Scanning Tunneling Microscopy Observation on the Atomic Structure
on Step Edge Pits on a NH4F-Treated Si(111) Surface査読有学術雑誌共著H.Sakaue;E.Takahashi;T.Tanaka;S.Shingubara;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.36 , pp.1420-1423.1997年英文科研費基盤研究
論文LSI配線信頼性技術における課題と今後の方向査読有学術雑誌単著新宮原 正三日本信頼性学会誌(REAJ)19巻4号 PP.257-2621997年英文科研費基盤研究
論文Void Formation Mechanism at No Current Stressed Area査読有学術雑誌共著S.Shingubara;T.Osaka;S.Abdeslam;H.Sakaue;T.TakahagiAmerican Institute of Physics Proceedings ,vol. 418 pp.159-170.1997年英文科研費基盤研究
論文A Model for Resolution Dependent Roughness Values Measured by an Optical Profiler for Specific Surfaces査読有学術雑誌共著M.Furukawa;S.Shingubara;Y.HoriikeJpn.J.Appl.Phys.Vol.36 pp. 3750-3754.1997年英文科研費基盤研究
論文Void Elongation Phenomena Observed in Polycrystalline Cu Interconects at a High Current Density Stressing Condition査読有学術雑誌共著S.Shingubara;S.Kajiwara;T.Osaka;H.Sakaue;H.TakahagiMat.Res.Soc.Symp.Proc.vol. 473 pp.229-234.1997年英文科研費基盤研究
論文Gap-filling of Cu Employing Sustained Self-sputtering with Inductively Coupled Plasma Inization査読有学術雑誌共著T.Ichiki;T.Kikuchi;A.Sano;S.Shingubara;Y.HoriikeJpn.J.Appl.Phys.vol.36 pp.1469-1472.1997年英文科研費基盤研究
論文Optical Emission Spectroscopy of High Density Metal Plasma Formed during Magnetron Sputtering査読有学術雑誌共著Z.J.Radzimski;O.E.Hankins;J.J.Cuomo;W.P.Posadowski;S.ShingubaraJ.Vac.Sci.Technol.(Vol.B 15 No.2, pp. 202-208.1997年英文
論文Initial Stage of Titanium Silicide Formation on Si(111) Substrate査読有学術雑誌共著SHINGUBARA ShozoMat.Res. Soc.Symp.Proc.vol.402, pp.137-1421996年英文科研費基盤研究
論文Fabrication of a Si nanometer column PN junction and implanted damage evaluation by TEM査読有学術雑誌共著H.Sukesako;T.Kawasaki;K.Inoue;H.Sakaue;S.Shingubara;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.vol.35 pp.1045-1048.1996年英文科研費基盤研究
論文High rate bias sputtering filling of SiO2 film employing both continuous wave and time-modulated inductively coupled plasmas査読有学術雑誌共著Y.Kobayashi;Y.Chinzei;H.Asanome;R.Kurosaki;J.Kikuchi;S.Shingubara;Y.HoriikeJpn.J.Appl.Phys.vol.35, pp.1474-1477.1996年英文科研費基盤研究
論文Surface Morphologies of Sputter-deposited Aluminum Films Studied Using
a High Resolution Phase Measuring Laser Interferometric Microscope査読有学術雑誌共著M.Furukawa;Y.Yamamoto;H.Ikakura;N.Tanaka;M.Hashimoto;A.Sano;S.ShingubaraJ.of Applied Optics ,vol. 35,NO. 4, pp. 701-7071996年英文科研費基盤研究
論文Self-sputtering of Cu film employing highly ionized Cu plasma査読有学術雑誌共著A.Sano;H.Kotani;H.Sakaue;S.Shingubara;T.Takahagi;Y.Horiike;Z.J.RadzimskiMat.Res.Soc.Conf. Proc.ULSI-XI pp.709-715.1996年英文科研費基盤研究
論文Al-selective CVD induced by hydrogen desorption on Si査読有学術雑誌共著H.Sakaue;Katsuta;S.Konagata;S.Shingubara;T.TakahagiJpn.J.Appl.Phys.vol.35 p.1010-1013.1996年英文科研費基盤研究
論文Cu deposition Characteristics into submicron contact holes employing self-sputtering with a high ionization rate査読有学術雑誌共著S.Shingubara;A.Sano;H.Sakaue;T.Takahagi;Y.Horiike;Z.Radzimski;PosadowskiMat.Res.Soc.Proc.vol.427 , pp.185-192.1996年英文科研費基盤研究
論文Study on Adsorption Behavior of Organic Contaminations on Silicon Surface by Gas Chromatography/Mass Spectrometry査読有学術雑誌共著T.Takahagi;S.Shingubara;H.Sakaue;K.Hoshino;H.YashimaJpn.J.Appl.Phys.vol. 35 pp.L818-821.1996年英文科研費基盤研究
論文Measurement of Fluorocarbon Radicals Generated from C4F8/H2 Inductively Coupled Plasma: Study on SiO2 Selective Etching Kinetics査読有学術雑誌共著K.Kubota;H.Matsumoto;H.Shindo;S.Shingubara;Y.HoriikeJpn.J.Appl.Phys.34 , pp.2119-2124.1995年英文科研費基盤研究
論文Molecular dynamics simulation of behaivor of a void due to
electromigration in an Al interconnection査読有学術雑誌共著S.Shingubara;I.Utsunomiya;T.FujiiElectronics and Communication in Japan, Part 2,78 pp.82-95.1995年英文科研費基盤研究
論文Resistance Oscillations Induced by a Direct Current Electromigration査読有学術雑誌共著S.Shingubara;K.Fujiki;A.Sano;K.Inoue;H.Sakaue;Y.HoriikeJpn.J.Appl.Phys.vol.34 pp.1030-1036.1995年英文科研費基盤研究
論文Interaction of a Void and a Grain Boundary under a High Electric Current Stress Employing Three Dimensional Molecular Dynamics Simulation査読有学術雑誌共著Shoso Shingubara;Isao Utsunomiya;Takayuki TakahagiApplied Surface Science,91 pp.220-226.1995年英文科研費基盤研究
論文Migration Problems in Submicron Metal Interconnections査読有学術雑誌単著SHINGUBARA ShozoTrans. Mat. Res. Soc. Jpn.,vol.14B pp.1317-1322.1994年英文科研費基盤研究
論文Sustained Self-Sputtering of Copper Film Employing DC Magnetron Source査読有学術雑誌共著S.Shingubara;A.Sano;I.Utsunomiya;Y.Horiike;Z.J.Radzimski;W.N.PosadowskiMRS Conference Proceedings,ULSI-IX p.87-94.1994年英文科研費基盤研究
論文Electromigration Characteristics of Cu-Al Precipitate in AlCu Interconnection査読有学術雑誌共著Shoso Shingubara;Hiroyuki Nishida;Hiroyuki Sakaue;Yasuhiro HoriikeJpn.J.Appl.Phys.Vol. 33 pp. 3860-3863.1994年英文科研費基盤研究
論文Digital Etching Study and Fabrication of Fine Si Lines and Dots査読有学術雑誌共著J.Yamamoto;T.Kawasaki;H.Sakaue;S.Shingubara;Y.HoriikeThin Solid Films,225 pp.124-129.1993年英文科研費基盤研究
論文Vertical and Lateral Hole Aluminum Filling Characteristics Employing ECR Al
Sputtering with High Magnetic Field査読有学術雑誌共著S.Shingubara;N.Morimoto;S.Takehiro;Y.Matsui;I.Utsunomiya;H.Shindo;Y.Horiike.Appl.Phys.Lett.vol.63, pp.737-739.1993年英文科研費基盤研究
論文Submicron SiO2 Hole Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field査読有学術雑誌共著N.Morimoto;S.Takehiro;Y.Matsui;I.Utsunomiya;H.Shindo;S.Shingubara;Y.Horiike.Mat. Res.Soc.Conf.Proc.ULSI-VIII pp.257-266.1993年英文科研費基盤研究
論文Low Energy Silicon Etching Technologies査読有学術雑誌共著Horiike;T.Hashimoto;K.Asami;J.Yamamoto;Y.Todokoro;H.Sakaue;S.ShingubaraMICROELECTRONIC ENGINEERING,13, pp. 417-424.1991年英文科研費基盤研究
論文Electromigration in a Single Crystalline Submicron Width Aluminum Interconnection査読有学術雑誌共著Shoso Shingubara;Yasushi Nakasaki;Hisashi KanekoApplied Physics Letters58, pp. 42-44.1991年英文科研費基盤研究
論文Electromigration-Induced Abrupt Changes in Electrical Resistance Associated with Void Dynamics in Aluminum Interconnections査読有学術雑誌共著Shoso Shingubara;Hisashi Kaneko;Makoto SaitohJ.of Applied Physics69 pp.207-212.1991年英文科研費基盤研究
論文Sputtering of Aluminum Film Using Microwave Plasma with High Magnetic Field査読有学術雑誌共著Shinobu Takehiro;Norimasa Yamanaka;Haruo Shindo;Shoso Shingubara;Yasuhiro HoriikeJpn.J.Appl.Phys.,vol.12B pp. 3657-3661.1991年英文科研費基盤研究
論文Vortices around a Sinkhole : Phase Diagram for One-celled and Two-Celled Vortices査読有学術雑誌共著S.Shingubara;K.Hagiwara;R.Fukushima;T.KawakuboJ.Phys.Soc.Jpn. ,vol.57 pp.88-94.1988年英文科研費基盤研究
論文Transition process from one celled vortex to two celled vortex査読有学術雑誌共著S.Shingubara;K.Hagiwara;Y.Tchuchiya;T.KawakuboFluid Dynamics Research ,vol.3 pp. 219-225.1988年英文科研費基盤研究
論文Formation of Vortices around a Sinkhole査読有学術雑誌共著S.Shingubara;T.KawakuboJ.Phys.Soc.Jpn.vol.53 p.1026-1030.1984年英文科研費基盤研究
論文Coherent Structure Formation of Vortex Flow around a Sink査読有学術雑誌共著T.Kawakubo;S.Shingubara;Y.TsuchiyaJ.Phys.Soc.Jpn.vol.52 Suppl. pp.143-146.1983年英文科研費基盤研究
論文アルミニウム配線中のボイドのエレクトロマイグレーション挙動の分子動力シミュレーション査読有学術雑誌共著新宮原 正三;宇都宮 勇夫;藤井 泰三電子情報通信学会論文誌vol. J78-C-II No.5 pp.294-304.和文科研費基盤研究
国際学会“Study on Adhesion Properties of Electroless Barrier Formed with Pd Nanoparticle Catalyst for High Aspect Ratio TSV”F. Inoue(D);H. Miyake(D);R. Arima(D);K. Kondo;T. Hayashi;T. Shimizu;S. ShingubaraIITCDresden, Germany
国際学会Evaluation of crystal structure of porous Si nanowires prepared by metal assisted etching”YAMAGUCHI T;SHIMIZU T;WANG C;WANG Q;SHINGUBARA S;KUZNETSOV AMRS 2012 Spring MeetingSan Francisco, USA
国際学会Large resistive switching phenomenon induced by magnetic field in nano conduction path formed in SiO2SHIMIZU T;OTUKA S;TAKASE K;SHINGUBARA SICM 2012BUSAN, Korea
教育業績
- 2024年度
- １．教育内容・方法の工夫（授業評価等を含む）
学部専門における基礎科目においては、講義中の演習、宿題などを半期に5－6回実施して、学生の理解度のチェック及び達成目標を講義途中で明確に示すなどの工夫を行っている。特に初学者がおちいり易い誤解や、必要かつ有効な数学的計算手法について、折に触れて丁寧に解説している。これらの工夫を行った対象科目は、解析力学Ｉ、解析力学ＩＩ、量子統計力学入門、統計力学入門、物性論、などである。 また、講義の初回においては、講義内容やその科学技術的な意味を明確に伝えるため、関連する技術を用いた具体的な製品の例やその発展歴史などを紹介し、学生への啓発を行い、講義の意味づけを行っている。 授業評価アンケートに関しては、学生からの声を講義中に読み上げ、多数の学生からのか意見かどうかを確認しつつ、講義へフィードバックを行っている。アンケート自身は個人的な意見が多く、すべてに対応するのは困難である。 - ２．作成した教科書、教材、参考書
教材に関しては、パワーポイントファイルなどを独自で作成した。 対象となる講義は、「しくみを形作る機械工学（全学共通科目）」、などである。 なお、講義ノートは独自で作成し、多くの講義では板書により講義を進めている。 ある講義に関しては、1冊のテキストで講義内容を網羅できないものがあるので、テキストの執筆を準備している。 - ３．教育方法・教育実践に関する発表、講演等
特になし - ４．その他教育活動上特記すべき事項
学部教育における講義に関しては、教員によるばらつきが非常に大きいという学生からの声がある。特に必修科目や選択必修科目においては、少なくとも私が担当する講義間での成績評価のばらつきをなくす努力をしている。学部入学時点で、基礎学力に関しては学生間に大きなばらつきがあるのが現状である。 講義を行う立場からは、優秀な学生の興味をそらさずに質の高い講義をすると共に、そうでない学生の理解度を引き上げる努力をせねばならない。これは本学の学部教育の最大の課題であり、大人数クラスにおいては習熟度別の講義を他の教員と分担して行ってきた。しかし、専門的な講義に関してはこのような習熟度別クラスの設定は不可能であるので、独自に工夫を行ってきている。
社会活動
- 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会副幹事長 2013年4月 1日～2015年3月 31日
- 電気化学会電子材料委員会委員長 2013年1月 20日
- Electrochemical Society, Nonvolatile Memories symposium, chief organizer 2011年12月 10日
- エレクトロニクス実装学会関西支部幹事 2013年12月 10日
- PRIME2016(Pacific Rim International Meeting of Electrochemistry 2016) 2016年10月
海外での国際会議・学会への出席歴
- 4th International Symposium on Electrochemical Processing of Tailored Materials(EPTM) 2005年10月
- 4th International Symposium on Electrochemical Processing of Tailored Materials(EPTM) 2005年10月
- International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (Nano9) 2006年7月 31日～2006年8月 4日
- International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (Nano9) 2006年7月 31日～2006年8月 4日
- ICMNE2006 (The 7th Intern.Conf. on Nano-Molecular Electronics) 2006年12月 13日～2006年12月 15日
- ICMNE2006 (The 7th Intern.Conf. on Nano-Molecular Electronics) 2006年12月 13日～2006年12月 15日
- 2008 MRS Spring Meeting 2008年3月
- 2008 3D-SiC Internsational Conference 2008年5月
- 2008 E-MRS Fall Meeting 2008年9月
- 2008 ICNME 2008年12月
- 2008 IUMRS 2008年10月
- 2008 IUMRS 2008年10月
- Proc. of Advanced Metallization Conference 2007 2008年
- 2008 International Conf .on Solid State Devices and Materials 2008年9月
- 2008 Advanced Metallization Conference 2008年9月
- 2008 International Conference of MNC 2008年10月
- 2009 IEEE IITC 2009年6月
- 2009 IEEE INTERMAG 2009年5月
- 2009 ICEP 2009年4月
- International Conference on Magnetism 2009 2009年7月 27日～2009年7月 31日
- Intern.Symp.on Frontiers of Electrochemical Science and Tehnology 2009年8月 12日～2009年8月 15日
- MNE 2009 2009年9月 28日～2009年9月 30日