佐藤 伸吾サトウ シンゴ |
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専門分野
| 専門分野 | キーワード |
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| 電子デバイス工学 |
研究課題
| 現在の研究課題名 | 極微細MOSFET向けシミュレーション技法の開発 |
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| 研究態様 | |
| 研究期間 | |
| 研究制度 | |
| キーワード | |
| 研究分野 | |
| 研究テーマ概要 |
所属学会
| 所属学会・団体名 | 役職名 (役職在任期間) |
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| 応用物理学会 | |
| IEEE |
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研究業績
論文Detailed analysis of electrical components on a layered wafer via the AC pseudo-MOS method査読有国内共著Y. Yuan;S. SatoSolid State ElectronicsVolume 210, December 2023, 1088112023年12月
国際学会The spds*p*+Δ tight binding model for 3C-SiC査読有国内共著S. Kanai;T. Nishikawa;S. Satoabstract of The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, KansaiP072023年11月 Online & Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan
国際学会Influence of Electrode Materials and their Deposition Method on Switching Characteristics of ReRAM Devices査読有国際共著S.Watanabe;S. Kawata;T. Taniyama;P. Wiśniewski;Y. Omura;S. Satoabstract of the 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, KansaiP082023年11月
国際学会Detailed analysis of electrical components on a layered wafer with an ac pseudo-MOS method,査読有国内共著Y. Yuan;S. SatoProc. of EuroSOI-ULIS’20232023年5月
国際学会The influence of the process parameters on the quality of SiO2 film for the swithing operation of ReRAM devices査読有国内共著T. Taniyama;S. Satoabstracts of IMFEDK 2022P032022年11月
国際学会The impact of Carrier Lifetime on the Electrical Characteristics of Z2-FET査読有国内共著S. Kim;S. Satoabstracts of IMFEDK 2022P042022年11月
国際学会Detailed analysis of electrical components on SOI wafer with an ac pseudo-MOS method,査読有国内共著Y. Yuan;S. Satoabstracts of IMFEDK 2022P052022年11月
国際学会Modeling the propagation of ac signal on the
channel of the pseudo-MOS method査読有単著SATO,ShingoProceedings of EuroSOI-ULIS’2021pp. 33-372021年9月
論文Impact of Band Structure on Phonon-Limited Electron Mobility Behavior of Germanium-on-Insulator Layer with (001) and (111) Surfaces査読有国内共著Y. Omura;T. Yamamura;S. SatoJordan Journal of Electrical Engineering,vol. 7, no. 3, p.203-230,2021年9月
論文Detailing Influence of Contact Condition and Island Edge on Dual-Configuration Kelvin Pseudo-MOSFET Method査読有共著MORI, Daigo;NAKATA, Iori;MATSUDA, Masayoshi;SATO, ShingoIEEE Transactions on Electron Devicesvol. 68, No. 6, pp.2906-29112021年4月
論文Theoretical analysis of the impacts of light illumination on the transient current of sputter-deposited non-doped ZnO films査読有共著OMURA, Yasuhisa;SATO,ShingoAIP Advances11, 0150302021年1月
国際学会Revisiting an influence of island edge on electrical characteristic of pseudo-MOSFET method査読有国内共著MORI,Daigo;SATO,ShingoEUROSOI-ULIS'20202020年8月 31日～2020年9月 4日
国際学会The Impact of Doping Concentration on the Electrical Characteristics of Z2-FET査読有国内共著YABUUCHI, Yu;SATO,Shingo;OMURA, YasuhisaPoster papers of The 2019 International Meeting for Future of Dlectron Devices, Kansai,pp. 31-322019年11月 ～2019年11月
論文Impact of contact and channel resistance on the frequency-dependent capacitance and conductance of pseudo-MOSFET査読有国際共著S. Sato;G. Ghibaudo;L. Benea;I. Ionica;Y. Omura;S. CristloveanuSolid State ElectronicsVol. 159, Sep. 2019, pp. 197-2032019年9月 ～2019年9月
論文Measuring Impact of Light on the Resistance of Non-Doped ZnO Films査読有国内共著TAKAHASHI, Naoto;SATO,Shingo;OMURA, Yasuhisa;SAITOH, TadashiECS Journal of Solid State Science and Technologyvolume 8, issue 1, pp. 57-61, 20192019年2月
論文Study on the Impacts of Hole Injection and Inclusion of Sub-oxide and Metallic Si Atoms on Repeatable Resistance Switching of Sputter-Deposited Silicon Oxide Films査読有国内共著Y. Omura;R. Yamaguchi;S. SatoIEEE Transactions on Device and Materials ReliabilityVolume: 18, Issue:4, pp.561-5672018年12月
国際学会Sharp switching, hysteresis-free characteristics of Z2-FET for fast logic applications査読有国際共著KH Lee;H El Dirani;P Fonteneau;M Bawedin;S Sato;S Cristoloveanu2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)pp.74-772018年9月
国際学会Aspects and Reduction of Miller Capacitance of Lateral Tunnel FETs国際共著Y. Jiang;S. Sato;Y. Omura;A. MallikIEEE IMFEDK (Kyoto, 2018)pp.22-232018年6月
国際学会Detailed analysis of frequency-dependent impedance in pseudo-MOSFET on thin SOI film査読有国際共著S. Sato;G. Ghibaudo;L. Benea;Y. Omura;S. CristoloveanuJoint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Siliconpp. 89-902018年3月
論文Possible Models of Electron-Energy Transfer in Resistance Switching by Sputter-Deposited Silicon Oxide Films: Potential of Extremely Low-Energy Switching査読有国内共著Y. Omura;T. Akano;S. SatoECS Journal of Solid State Science and Technologyvolume 7, issue 3, Q21-Q252018年2月
論文Novel Addressable Test Structure for Detecting Soft Failure of Resistive Elements when Developing Manufacturing Procedures査読有共著S. Sato;Y. OmuraIEEE Transactions on Semiconductor ManufacturingVol. 31, Issue. 1, pp.124-1292018年
国際学会Measuring impact of light on resistance of non-doped ZnO films査読有国内共著N. Takahashi;S. Sato;Y. Omura;T. SaitohAdvanced NanoMaterials Conf., (Aveiro, Portugal, 2018) in print2018年
論文Revisiting the Role of Trap-Assisted-Tunneling Process on Current-Voltage Characteristics in Tunnel Field-Effect Transistors査読有国際共著Y. Omura;Y. Mori;S. Sato;A. MallikJournal of Applied Physicsvol. 123, pp. 161549-1-161549-6 2017年12月
国際学会Physical Mechanisms of Short-Channel Effects of Lateral Double-Gate Tunnel FET査読有国際共著Y. Mori;S. Sato;Y. Omura;A. MallikProceedings of Nano S & T 2017p.55252017年10月
国際学会Theoretical Models for Electron Diffusion Coefficient of One-Dimensional Si Wire Devices: impacts of conduction band non-parabolicity- 査読有国内共著Y. Omura;S. SatoProceedings of Nano S & T 2017p.3382017年10月
国際学会Important Roles of Hole Injection and Inclusion of Sub-oxide and Metallic Si Atoms on Resistive Transition of Sputter-Deposited Silicon Oxide Films査読有国内共著Y. Omura;R. Yamaguchi;S. SatoProceedings of Nano S & T 2017pp. 3462017年10月
国際学会Theoretical Models for Low-Frequency Noise Behaviors of Buried-Channel MOSFETs査読有国内共著Y. Omura;S. SatoProc. IEEE S3S Conference 2017 (Oct., San Francisco)paper No. 8.112017年10月
学会発表Definite Influence of Substrate-contact Condition on SOI Substrate Impedance Parameters査読有国内共著I. Yarita;S. Sato;Y. OmuraProc. IEEE S3S Conference 2017 (Oct., San Francisco)paper No. 8. 7.2017年10月
国際学会Impact of Crystal Orientation and Conduction Band Non-parabolicity on Diffusion Constant of Nano-scale Si Rectangular Wires - theoretical estimation査読有国内共著Y. Omura;S. Sato12th Nanosmat Conf. (Paris, Sept., 2017)pp. 1-32017年9月
学会発表縦型tunnel FETにおけるTAT 電流の効果に関する考察査読無国際共著森義暁;佐藤伸吾;大村泰久;Abhijit Mallik第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集（2017 博多国際会議場）8a-C18-22017年9月
学会発表Pseudo-MOS構造のC-V特性に及ぼす自然酸化膜の影響査読無国内共著鑓田勲;佐藤伸吾;大村泰久第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集（2017 博多国際会議場）8a-C11-72017年9月
論文Impact of Native Oxide Growth on the Capacitance-Voltage Characteristic of Pseudo-MOS Structure査読有国内共著I. Yarita;S. Sato;Y. OmuraECS Transactionsvol. 77, issue 11, pp. 1887-18922017年7月
国際学会Physical Mechanisms of Short-Channel Effects of Lateral Double-Gate Tunnel FET査読有国際共著Y. Mori;S. Sato;Y. Omura;A. Mallikabstract of IMFEDK 2017pp. 34-352017年6月
論文On the Definition of Threshold Voltage for Tunnel FETs査読有国際共著Y. Mori;S. Sato;Y. Omura;A. Chattopadhyay;A. MallikSuperlattices and Microstructuresvol. 107, pp. 17-272017年4月
論文Roles of chemical stoichiometry and hot electrons in realizing the stable resistive transition of sputter-deposited silicon oxide films査読有国内共著R. Yamaguchi;S. Sato;Y. OmuraJapanese Journal of Applied Physicsvol. 56, No. 4, pp. 041301-1-041301-62017年3月
国際学会Impact of native oxide on the capacitance-voltage characteristic for pseudo-MOS structure査読有国内共著I. Yarita;S. Sato;Y. OmuraThe 231st Electrochemical Society MeetingAbstract MA2017-01, Z01-19592017年3月
国際学会Recent Progress of Pseudo-MOS Method Used for Evaluating Electrical Properties of the SOI Wafer 査読有国内共著S. Sato;I. Yarita;Y. OmuraProc. 4th int. Symp. Semicond. Mat. And Devicespp. 342017年3月
学会発表スパッタ堆積 ZnO 薄膜の大気暴露による電気的特性の経時変化の評価査読無国内共著髙橋直人;張捷生;齊藤正;佐藤伸吾;大村泰久第64回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2017 パシフィコ横浜), 予稿15a-419-32017年3月
学会発表横型Tunnel FET の閾値電圧と短チャネル効果の考察査読無国際共著森義暁;佐藤伸吾;大村泰久;Abhijit Mallik第64回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2017 パシフィコ横浜), 予稿16p-412-42017年3月
学会発表縦型TFETの性能に及ぼすバラメ-タの影響の評価査読無国際共著蒋煜煬;森義暁;佐藤伸吾;大村泰久;Abhijit Mallik第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集（2017 博多国際会議場）8a-C15-12017年3月
国際学会Proposal of a New Array Structure to Enable the Detection of Soft Failure and the Aging Test with Overcurrent of Resistive Element査読有S. Sato;Y. OmuraProceedings of 29th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structurespp.52-562016年
論文Proposal of Physics-Based Equivalent Circuit of Pseudo-MOS Capacitor Structure for Impedance Spectroscopy査読有I. Yarita;S. Sato;Y. OmuraIEEE Journal of the Electron Devices Societyvol. 4, pp. 169-1732016年
国際学会Stable Unipolar and Bipolar Resistive Transitions of Sputter-Deposited SiO2 Films査読有R. Yamaguchi;T. Akano;S. Sato;Y. OmuraAbstracts of 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics WSpp. 74-752016年
国際学会A Possible Threshold Voltage Definition of Lateral Tunnel FET,査読有国際共著Y. Mori;S. Sato;Y. Omura;A. mallikAbstracts of 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics WSpp. 188-1892016年
国際学会Capacitance Analysis of Pseudo-MOSFET Using Cole-Cole Plots査読有I. Yarita;S. Sato;Y. OmuraTech. Digest of IEEE IMFEDK 2016pp. 36-37.2016年
国際学会Sensitivity of Resistive Transition of Sputter-Deposited TiO2 Films to Electrode Material査読有N. Kawashima;S. Sato;Y. OmuraTech. Dig. of IEEE IMFEDK 2016pp. 72-73.2016年
学会発表横型Tunnel FET の閾値状態の定義についての考察査読無森義暁;佐藤伸吾;大村泰久第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 予稿19a-S223-92016年
学会発表スパッタ堆積ZnO 薄膜のキャリア生成とO1s スペクトルとの関係査読無張捷生;佐藤伸吾;斉藤正;大村泰久第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 予稿19p-P12-232016年
学会発表Pseudo-MOSを使った SOI基板のac解析手法の検討査読無鑓田勲;佐藤伸吾;大村泰久第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス) , 予稿21a-S223-132016年
学会発表スパッタ堆積SiO2膜の抵抗変化現象に対するキャリアエネルギーの影響査読無山口凜太郎;佐藤伸吾;大村泰久第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 予稿21p-H111-52016年
学会発表スパッタ堆積SiO2膜の抵抗変化現象の特徴査読無赤野拓哉;山口凜太郎;佐藤伸吾;大村泰久第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 予稿21p-H111-92016年
学会発表スパッタ堆積TiO2膜の抵抗変化現象に関する考察査読無川嶋望;佐藤伸吾;大村泰久第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 予稿21p-H111-112016年
論文Possible Theoretical Models for Carrier Diffusion Coefficient of One-Dimensional Si Wire Devices査読有S. Sato;Y. OmuraJapanese Journal of Applied Physicsvol.54, No. 5, p.054001-1-054001-72015年
論文Compact Modeling for Nano-Wire Tunnel Field-Effect Transistor査読有国際共著S. Sato;Y. Omura;A. MallikECS Transactionsvol. 66, No. 5, pp.171-1772015年
論文Analytically Modeling the Asymmetric Double Gate Tunnel FET査読有国際共著H. Lv;S. Sato;Y. Omura;A. MallikECS Transactionsvol. 66, No. 5, pp.193-2002015年
国際学会Circuit Architecture and Measurement Technique to Reduce the Leakage Current Stemming from Peripheral Circuits with an Array Structure in Examining the Resistive Element査読有S. Sato;T. Ito;Y. OmuraProceedings of the 2015 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structurespp.14-172015年
国際学会Compact Modeling for Nano-Wire Tunnel Field Effect Transistor査読有S. Sato;Y. Omura;A. Mallik227th ECS Meeting, Int. Symp. on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17thNo. 462972015年
国際学会An Analytical Modeling for Asymmetric Double-Gate Tunnel FET Operation査読有国際共著H. Lv;S. Sato;Y. Omura;A. Mallik227th ECS Meeting, Int. Symp. on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17thNo. 494342015年
国際学会Two-Dimensional Potential Model for Asymmetric Double-Gate Tunnel FET Considering the Source-Channel Junction Depletion Region査読有国際共著H. Lv;S. Sato;Y. Omura;A. MallikTech. Dig., IEEE IMFEDKpp.58-592015年
国際学会 Development of a Compacted Doubly Nesting Array in Narrow Scribe Line Aimed at Detecting Soft Failures of Interconnect ViaH. Shinkawata;N. Tsuboi;A. Tsuda;S. Sato;Y. Yamaguchi28th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structurespp.78-812015年
学会発表半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発査読無新川田裕樹;坪井信生;津田淳史;佐藤伸吾;山口泰男電子情報通信学会、信学技報SDM2015-582015年
国際学会Physics-based Model for the Conductive Filament at the Low Resistance State of Thin SiO2 FilmsR. Yamaguchi;S. Sato;Y. OmuraJSAP Si Nanoelectronics WSpp.79-802015年
国際学会Two-Dimensional Model for Asymmetric Double-Gate Tunnel FET Considering the Source-Channel Junction Depletion Region国際共著H. Lv;S. Sato;Y. Omura;A. MallikIEEE IMFEDK2015pp.58-592015年
論文Analysis of soft failures in low-resistance interconnect via using doubly nesting arrays査読有H. Shinkawata;S. Sato;A. Tsuda;T. Yoshizawa;T. OhnoIEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURINGVolume:27 , Issue: 2 , p.178 - 1832014年
国際学会Spectroscopic Electrical Characterization of Post-Resistive-Transition SiO2 Films査読有R. Yamaguchi;S. Sato;Y. Omura;K. NakamuraTech. Dig., IEEE IMFEDK 2014pp. 80-812014年
国際学会Characterization of Noise Behavior of Ultrathin Inversion-Channel and Buried-Channel SOI MOSFETs in the Subthreshold Bias Range,査読有T. Ito;S. Sato;Y. OmuraTech. Dig., IEEE IMFEDK 2014pp. 46-472014年
国際学会Characterization and Modeling of Resistive-Transition Phenomena and Electronic Structure of Sputter-Deposition SiO2 Films査読有R. Yamaguchi;S. Sato;Y. Omura;K. NakamuraTech. Dig., WOLTE-11pp.69-722014年
国際学会Theoretical Modeling for Carrier Diffusion Coefficient in One-Dimensional Si Wires around Room Temperature査読有Y. Omura;S. SatoProc. of IEEE Nanoelectron. Conf.No. INEC-01352014年
国際学会Proposal of Simple Channel-Length-Dependent Current Model for Subthreshold Region of Nano-wire Tunnel FET査読有S. Sato;Y. Omura;A. MallikTech. Dig., Compact Modeling,pp. 28-312014年
学会発表スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移の特徴に関する考察査読無山口凜太郎;佐藤伸吾;大村泰久;中村和広第61回応用物理学会春季学術講演会19p-E8-12014年
学会発表スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移に関する考察-遷移臨界条件-査読無その他山口凜太郎;金剛弘卓;呂鴻飛;佐藤伸吾;大村泰久;中村和広第61回応用物理学会春季学術講演会19p-E8-22014年
学会発表非対称ダブル·ゲート横型トンネルFETの解析モデル査読無国際共著呂鴻飛;佐藤伸吾;大村泰久;Abhijit Mallik電子情報通信学会、信学技報SDM2014-962014年
学会発表Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討査読無国際共著大村泰久;佐藤伸吾;Abhijit Mallik電子情報通信学会 信学技報SDM2014-97 2014年
国際学会Newly developed Test-Element-Group for detecting soft failures of the low-resistance-element using doublly nesting array査読有S. Sato;H. Shinkawata;A. Tsuda;T. Yoshizawa;T. OhnoProceedings of the 2013 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structurespp. 95 - 982013年The 26th International Conference on Microelectronic Test Structures(ICMTS 2013).Osaka University Nakanoshima Center, Osaka, Japan
学会発表Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル査読無国際共著OMURA,Yasuhisa;SATO,Daiki;SATO,Shingo;Abhijit Mallik電子情報通信学会 信学技報vol. 113, no. 296, SDM2013-109, pp. 55-602013年
論文”Low-Temperature Behaviours of Phonon-Limited Electron Mobility of sub-10-nm-Thick Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with (001) and (111) Si Surface ChannelsY. Omura;T. Yamamura;S. SatoJapanese Journal of Applied Physicsvol. 48, pp. 071204-0712112009年
論文Impact of Band Alignment on Line Electron Density and Channel Capacitance of Rectangular n-Channel Gate-All-Around Wire Field-Effect Transistor査読有S. Sato;Y. OmuraJapanese Journal of Applied Physicsvol. 47, pp. 1706-17122008年
国際学会Low-Temperature Behavior Simulations of Phonon-Limited Electron Mobility for Sub-10-nm-Thick SOI MOSFET and GOI MOSFET with (111) or (001) Surface Channel,査読有T. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraProc. The 8th Int. Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE) (Ilmenau, June, 2008)pp. 69-702008年
論文Phonon-Limited Electron Mobility Behavior and Inherent Mobility Reduction Mechanism of Ultrathin Silicon-on-Insulator Layer with (111) Surface and Ultrathin Germanium-on-Insulator Layer with (001) SurfaceT. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraJapanese Journal of Applied Physicsvol. 46, No. 12, pp. 7654-76612007年
論文Empirical Models of Phonon-Limited Electron Mobility for Ultra-Thin Body Single-Gate and Double-Gate Silicon-on-Insulator (SOI) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) with (001) or (111) Si Surface ChannelT. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraJapanese Journal of Applied Physicsvol. 46, pp. 3463-34702007年
論文Features of Phonon-Limited Electron Mobility Behavior of Double-Gate Field-Effect Transistor with (111) Si Surface ChannelT. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraApplied Physics Lettersvol. 90, pp. 104103-1041052007年
国際学会Important Aspects of Phonon-Limited Electron Mobility of Double-Gate Field-Effect Transistor or Fin FET with a (111) Si Surface Channel査読有T. Yamamura;S. Sato;Y. Omura2007 Int. Meet. Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK) (Osaka, 2007)pp. 23-242007年
論文Impact of Phonon- limited Mobility Superiority in Double-Gate or FinFET with a (111) Silicon and (001) Germanium Surface Channel on Device Scaling,査読有T. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraECS TransactionsVol. 6, No. 4, Silicon-on-Insulator Technol. and Dev. 13, pp. 369-3742007年
論文Origin of Transient Gate Current Observed in Pseudo-MOS Transistor査読有国際共著S. Sato;N. Q. Tuan;S. Cristoloveanu;Y. OmuraECS TransactionsVol. 6, No. 4, Silicon-on-Insulator Technol. and Dev. 13, pp. 95-1002007年
国際学会Impact of Band Structure on Phonon-Limited Electron Mobility Behavior for Ultra-Thin GOI MOSFET査読有T. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraAbstr. IEEE 2007 Silicon Nanoelectronics WS (Kyoto, June, 2007)pp. 35-362007年
国際学会Behavior of Low-Temperature Phonon-Limited Electron Mobility of Double-Gate Field-Effect Transistor with (111) Si Surface Channel,査読有T. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraExt. Abstr. Int. Conf. Solid State Devices and Mat. (Tsukuba, Sep. 2007)pp. 730-7312007年
国際学会Low-Temperature Behavior Simulations of Phonon-Limited Electron Mobility for Sub-10-nm-Thick SOI MOSFET with (111) or (001) Si Surface Channel査読有T. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraProc. IEEE 2007 Int. SOI Conf. (Indean Wells, Oct., 2007)pp. 65-662007年
論文Quantum-Mechanical Suppression and Enhancement of Short-Channel Effects in Ultra-Thin SOI MOSFET’sY. Omura;H. Konishi;S. SatoIEEE Trans. Electron Devicesvol. 53, pp. 677-6842006年
論文Physics-Based Determination of the Carrier Effective Mass Assumed in Density Gradient ModelS. Sato;Y. OmuraJapanese Journal of Applied Physics vol. 45, pp. 689-6932006年
国際学会Empirical Model of Phonon-Limited Electron Mobility for Ultra-Thin Body SOI MOSFET,査読有T. Yamamura;S. Sato;Y. OmuraExt. Abstr. Of 2006 Int. Conf. Solid State Devices and Mat. (Yokohama, 2006)pp. 544-5452006年
論文Possible Influence of the Schottky Contacts on the Characteristics of Ultra-Thin SOI Pseudo-MOS Transistors国際共著S. Sato;K. Komiya;N. Bresson;Y. Omura;S. CristoloveanuIEEE Trans. Electron Devicesvol. 52, pp. 1807-18142005年
論文Detailed Investigation of Geometrical Factor for Pseudo-MOS Transistor Technique国際共著K. Komiya;N. Bresson;S. Sato;S. Cristoloveanu;Y. OmuraIEEE Trans. Electron Devicesvol. 52, pp. 406-4122005年
国際学会Impact of the Schottky Contact on Characterization of Ultra-thin SOI Pseudo-MOS Transistors査読有国際共著S. Sato;K. Komiya;N. Bresson;Y. Omura;S. CristoloveanuProc. 12th Int. Symp. Silicon-on-Insulator Technol. and Devices (The Electrochem. Soc., Canada, Quebec, 2005)pp. 249-2542005年
論文Impact of High-k Plug on Self-Heating Effects of SOI MOSFETsK. Komiya;T. Kawamoto;S. Sato;Y. OmuraIEEE Trans. Electron Devicesvol. 51, pp. 2249-22512004年
論文Engineering Source and Drain Diffusion for Sub-100-nm Channel Silicon-on-Insulator MOSFETsA. Kawamoto;S. Sato;Y. OmuraIEEE Trans. Electron Devicesvol. 51, pp. 907-9132004年
国際学会Quantum-Mechanical Enhancement of Short-Channel Effects in Ultra-Thin SOI MOSFETs査読有H. Konishi;S. Sato;K. Komiya;Y. OmuraExt. Abstr., IEEE 2004 Int. Meeting for Future Electron Dvices, Kansai (IMFEDK, Kyoto, July, 2004)pp. 75-762004年
国際学会Detailed Investigation of Geomentrical Factor for Pseudo-MOS Transistor Technique査読有国際共著K. Komiya;N. Bresson;S. Sato;S. Cristoloveanu;Y. OmuraProc. 2004 IEEE Int. SOI Conf. (Charsten, USA, Oct. 2004)pp. 75-762004年
国際学会Impact of high-k plug on self-heating effects of SOI MOSFET’s査読有K. Komiya;T. Kawamoto;S. Sato;Y. OmuraProc. the 4th Int. Symp. On Advanced Science and Technology of Silicon Materials (Kona, Hawaii, 2004) K-1pp. 315-3192004年
国際学会Impact of the Schottky contacts on characterization of Ultra-Thin SOI Pseudo-MOS transistors査読有国際共著S. Sato;K. Komiya;N. Bresson;Y. Omura;S. CristoloveanuProc. the 4th Int. Symp. On Advanced Science and Technology of Silicon Materials (Kona, Hawaii, 2004) K-6,pp. 343-347.2004年